[发明专利]高压半桥栅驱动电路

权利要求书

1.一种高压半桥栅驱动电路，其特征是包括：输入接收电路、死区时间产生电路、低压产生电路、低侧延时电路、低侧高效率输出驱动电路L、低延时高压电平移位电路和高侧高效率输出驱动电路H；

其中，低压数字输入信号HI和LI首先进入输入接收电路，进行信号电平判别和逻辑电平高压转换，得到中压信号H和L；死区时间产生电路根据中压信号H得到高侧差分输入数据HIP和HIN，根据中压信号L得到低侧差分输入数据LIP和LIN；高侧差分输入数据HIP和HIN进入低延时高压电平移位电路，得到低电位浮动的高侧驱动数据，然后进入高侧高效率输出驱动电路H，经驱动放大得到具有较大驱动能力的高侧输出信号HO；低侧差分输入数据LIP和LIN进入低侧延时电路得到低侧驱动数据，并输出给低侧高效率输出驱动电路L，经驱动放大得到具有较大驱动能力的低侧输出信号LO；

所述低侧高效率输出驱动电路L和高侧高效率输出驱动电路H为电路结构完全相同的高效率输出驱动电路；所述低延时高压电平移位电路，需要同时使用低压地VSS和浮动地SW两组地电位，所述高侧高效率输出驱动电路H只需要使用浮动地SW，输入接收电路、死区时间产生电路、低压产生电路、低侧延时电路和低侧高效率输出驱动电路L共同使用低压地VSS；所述高效率输出驱动电路的驱动能力受上电信号Start-up、触发控制时钟信号Clk-ctrl和n个基准电压Vr1~Vrn控制；所述输入接收电路需要同时使用低压电源电压VCL和中压电源电压VCC；所述低压产生电路根据中压电源电压VCC产生低压电源电压VCL和n个基准电压Vr1~Vrn；

所述低延时高压电平移位电路包括：第一高压LDMOS晶体管MD1、第二高压LDMOS晶体管MD2、第一保护二极管D1、第二保护二极管D2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电阻R1、第二电阻R2、第一耦合MOS管M1、第二耦合MOS管M2、第一速度增强晶体管Me1、第二速度增强晶体管Me2、误差迟滞过滤电路和信号翻转检测电路；

其中，第一高压LDMOS晶体管MD1和第二高压LDMOS晶体管MD2的源端接低压地VSS；第一高压LDMOS晶体管MD1的漏端同时连接到第一耦合MOS管M1的源端、第一保护二极管D1的阳极、第三电阻R3的下端和第二耦合MOS管M2的栅端；第二高压LDMOS晶体管MD2的漏端同时连接到第二耦合MOS管M2的源端、第二保护二极管D2的阳极、第四电阻R4的下端和第一耦合MOS管M1的栅端；第一耦合MOS管M1的漏端连接到第一电阻R1的上端，还连接到误差迟滞过滤电路的数据输入P端LSP和第二速度增强晶体管Me2的漏端；第二耦合MOS管M2的漏端连接到第二电阻R2的上端，还连接到误差迟滞过滤电路的数据输入N端LSN和第一速度增强晶体管Me1的漏端；第一电阻R1和第二电阻R2的下端接浮动地SW；误差迟滞过滤电路的输出为驱动数据Din，Din同时还作为信号翻转检测电路的输入信号；信号翻转检测电路的2个输出端分别连接第一速度增强晶体管Me1和第二速度增强晶体管Me2的栅端；第一保护二极管D1的阴极、第二保护二极管D2的阴极、第三电阻R3的上端、第四电阻R4的上端、第一速度增强晶体管Me1的源端和第二速度增强晶体管Me2的源端同时连接到高压电源电压；

其中，n为任意正整数。

2.根据权利要求1所述的高压半桥栅驱动电路，其特征是所述误差迟滞过滤电路包括：P端耦合反相器、P端去毛刺电路、P端或门、P端数据选择器、N端耦合反相器、N端去毛刺电路、N端或门和N端数据选择器电路；所述P端去毛刺电路和N端去毛刺电路的结构相同，其内部包含3个2输入与非门和一个2输入或门。

3.根据权利要求1所述的高压半桥栅驱动电路，其特征是所述信号翻转检测电路由比较器电路实现。