[发明专利]一种PDN阻抗平坦化仿真方法、装置、设备和介质

权利要求书

1.一种PDN阻抗平坦化仿真方法，其特征在于，所述方法包括：

将去耦合电容的模型转化为等效串联RLC电路；

基于所述等效串联RLC电路，通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无所述去耦合电容的IC端阻抗的变化量；

将最大的所述IC端阻抗的变化量对应的所述去耦合电容待摆放节点配置为第一位置节点；

再次计算其他所述去耦合电容待摆放节点的所述IC端阻抗的变化量，并将最大的所述IC端阻抗的变化量对应的所述去耦合电容待摆放节点配置为下一位置节点；

重复前一步骤以依次获取所有所述去耦合电容待摆放节点的顺序；

获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值，在所述第一位置节点放置电容值邻近且大于所述交错点对应的电容值的去耦合电容；

依次针对所有位置节点重复前一步骤以放置所述去耦合电容。

2.根据权利要求1所述的PDN阻抗平坦化仿真方法，其特征在于，所述将去耦合电容的模型转化为等效串联RLC电路还包括：

将电源调节模组与极性电解电容模型置入所述等效串联RLC电路。

3.根据权利要求1所述的PDN阻抗平坦化仿真方法，其特征在于，所述基于所述等效串联RLC电路，通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无所述去耦合电容的IC端阻抗的变化量还包括：

通过仿真计算公式计算当所述去耦合电容待摆放节点摆放所述去耦合电容时的IC端阻抗；

根据所述仿真计算公式以及所述IC端阻抗计算当所述去耦合电容待摆放节点短路时的所述IC端阻抗的变化量。

4.根据权利要求1所述的PDN阻抗平坦化仿真方法，其特征在于，所述方法还包括：

仿真前，根据不同的直流偏压整理所述去耦合电容的模型数据库。

5.根据权利要求1所述的PDN阻抗平坦化仿真方法，其特征在于，所述获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值，在所述第一位置节点放置电容值邻近且大于所述交错点对应的电容值的去耦合电容还包括：

获取所述目标阻抗和所述PDN阻抗的曲线交错点对应的频率，根据所述频率获取所述电容值。

6.一种PDN阻抗平坦化仿真装置，其特征在于，所述装置包括：

转化模块，所述转化模块配置为将去耦合电容的模型转化为等效串联RLC电路；

仿真计算模块，所述仿真计算模块配置为基于所述等效串联RLC电路，通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无所述去耦合电容的IC端阻抗的变化量；

第一位置节点模块，所述第一位置节点模块配置为将最大的所述IC端阻抗的变化量对应的所述去耦合电容待摆放节点配置为第一位置节点；

下一位置节点配置模块，所述下一位置节点配置模块配置为再次计算其他所述去耦合电容待摆放节点的所述IC端阻抗的变化量，并将最大的所述IC端阻抗的变化量对应的所述去耦合电容待摆放节点配置为下一位置节点；

顺序获取模块，所述顺序获取模块配置为重复前一步骤以依次获取所有所述去耦合电容待摆放节点的顺序；

电容值计算模块，所述电容值计算模块配置为获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值，在所述第一位置节点放置电容值邻近且大于所述交错点对应的电容值的去耦合电容；

顺次计算模块，所述顺次计算模块配置为依次针对所有位置节点重复前一步骤以放置所述去耦合电容。

7.根据权利要求6所述的PDN阻抗平坦化仿真装置，其特征在于，所述转化模块还配置为：

将电源调节模组与极性电解电容模型置入所述等效串联RLC电路。

8.根据权利要求6所述的PDN阻抗平坦化仿真装置，其特征在于，所述仿真计算模块还包括：

通过仿真计算公式计算当所述去耦合电容待摆放节点摆放所述去耦合电容时的IC端阻抗；

根据所述仿真计算公式以及所述IC端阻抗计算当所述去耦合电容待摆放节点短路时的所述IC端阻抗的变化量。