[发明专利]磁性隧道结

权利要求书

1.一种磁性隧道结，其特征在于，包括：

自由层；

势垒层；

参考层；

合成反铁磁层，位于所述参考层的远离所述势垒层的一侧，用于钉扎所述参考层的磁化方向；

磁间隔层，位于所述参考层和所述合成反铁磁层之间；

其中，所述合成反铁磁层包括第一反平行层、第二反平行层以及位于所述第一反平行层和所述第二反平行层之间的反铁磁耦合层，所述第一反平行层与所述第二反平行层的磁化方向反平行，所述第二反平行层靠近所述磁间隔层，所述第一反平行层远离所述磁间隔层，所述第一反平行层采用[X/Y]_n/X结构，n为交替次数，其中X为第一磁性薄膜，Y为非磁性薄膜或者第二磁性薄膜，非交替设置的一层第一磁性薄膜与所述反铁磁耦合层相邻，且满足：各层第一磁性薄膜的厚度介于0.1-0.6nm，与所述反铁磁耦合层相邻的一层第一磁性薄膜的厚度小于其他各层第一磁性薄膜的厚度。

2.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其特征在于，所述第一反平行层采用[Co/Pt]_n/Co结构、[Co/Pd]_n/Co结构或者[CoFe/Pt]_n/CoFe结构，n为交替次数。

3.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其特征在于，所述第一反平行层采用[Co/Ni]_n/Co结构或者[CoFe/Ni]_n/CoFe结构，n为交替次数。

4.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其特征在于，所述第二反平行层采用磁性薄膜与非磁性薄膜交替设置的多层膜结构，所述多层膜结构采用[Co/Pt]_n结构、[Co/Pd]_n结构或者[CoFe/Pt]_n结构，n为交替次数。

5.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其特征在于，所述第二反平行层采用两层磁性薄膜交替设置的多层膜结构，所述多层膜结构采用[Co/Ni]_n结构或者[CoFe/Ni]_n结构，n为交替次数。

6.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其特征在于，所述第二反平行层采用单一磁性膜结构，所述单一磁性膜结构的材料包括Co、Fe、Ni和B中的一种或几种的组合。

7.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其特征在于，所述反铁磁耦合层的材料包括Ru和Ir中的一种。

8.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其特征在于，所述自由层、参考层和合成反铁磁层的磁化方向均垂直于薄膜平面。