[发明专利]一种三维光电互联基板的制备方法

权利要求书

1.一种三维光电互联基板的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤1，在玻璃基板上通过激光刻蚀，形成电互联通孔，并在所述电互联通孔内嵌入导电部分；

步骤2，在玻璃基板上沉积氮化硅器件层；

步骤3，通过光刻、刻蚀得到氮化硅波导芯层，使氮化硅波导芯层不覆盖电互联通孔；

步骤4，在玻璃基板上进行激光刻蚀，得到光互联通孔，且光互联通孔垂直于玻璃基板；

步骤5，在步骤4得到的器件两个表面沉积聚合物，从而在器件两个表面形成聚合物芯层器件层；

步骤6，通过光刻、显影工艺，得到聚合物波导芯层，所述聚合物波导芯层的一端包含氮化硅波导芯层的末端，另一端呈45度斜边，覆盖光互联通孔，且端部位于与之同面的光互联通孔的边界；

步骤7，继续在步骤6得到的器件表面旋涂，形成聚合物上包层；

步骤8，通过光刻、显影工艺，去除覆盖在电互联通孔上方的上包层。

2.如权利要求1所述的三维光电互联基板的制备方法，其特征在于：所述步骤1中，玻璃基板采用硼硅酸盐玻璃。

3.如权利要求1所述的三维光电互联基板的制备方法，其特征在于：所述步骤1中，玻璃基板的厚度为50μm-1mm。

4.如权利要求1所述的三维光电互联基板的制备方法，其特征在于：所述步骤1中，嵌入的导电部分材质为因瓦合金、超因瓦合金或金属玻璃。

5.如权利要求1所述的三维光电互联基板的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，在玻璃基板的一个表面或两个表面沉积氮化硅器件层。

6.如权利要求1所述的三维光电互联基板的制备方法，其特征在于：所述步骤7中，聚合物上包层的厚度大于聚合物波导芯层的厚度。