[发明专利]连续拉制单晶棒剩余锅中料电阻率计算方法

权利要求书

1.一种连续拉制单晶棒剩余锅中料电阻率计算方法，其特征在于该方法依据以下公式计算得到：

剩余锅中料电阻率=头部计算电阻率*(1-B/A)(^{1-分凝系数)*}分凝系数*a；--------公式一；

其中：头部计算电阻率为拉制形成的硅棒的实测电阻率，单位为Ωmm；

B为硅棒拉制后的实际重量，单位为kg；

A为锅中投料量，单位为kg；

分凝系数由原材料决定，已知原材料，则分凝系数为已知；

a为校准系数，在计算第一棒硅棒拉制完成后锅中料电阻率时，加入的料位纯多晶硅，默认a=1。

2.如权利要求1所述的连续拉制单晶棒剩余锅中料电阻率计算方法，其特征在于：在计算下一棒硅棒拉制完成后锅中剩余电阻率时，所述公式一种的校准系数a是被校准后的系数，校准方式为依据二棒拉制完后实测的头部电阻率来反推锅中料的电阻率，反推方法如下：

回熔料电阻率对应浓度=（投料量*所需电阻率对应浓度/分凝系数-掺杂剂重量*掺杂剂浓度）/回熔料重量-------------------------公式二；

其中的掺杂剂重量，依据以下公式计算得到：

掺杂剂重量=（投料量*所需电阻率对应浓度/分凝系数-回熔料重量*回熔料电阻率对应浓度）/掺杂剂浓度-------------------------公式三；

该式中掺杂剂浓度和电阻率对应关系引用GB/T11389-92标准中公式4.1.2.3计算；

将公式一和公式二计算得到的a做比较：得到校准后的a=0.46/0.42≈1.095；

在此基础上，在之后一炉拉制时，首棒拉制完成后，剩余锅中料的电阻率还依据公式一计算，但此时的a取校准后的数值。