[发明专利]硒化镓/二硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件有效
| 申请号： | 202010317242.9 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111552098B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 柴路;刘伟宁;宋琦;陈骏祺;胡明列 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;G02F1/017 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硒化镓 硫化 锡异质 结膜 电控太 赫兹 强度 调制 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种硒化镓/二硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件，其特征是，包括GaSe/SnS2异质结膜、附加电极、主动控制直流电源、线性偏振的THz源，线性偏振的THz源生成的太赫兹波入射到GaSe/SnS2异质结薄膜，GaSe/SnS2异质结膜为在硅酸盐玻璃衬底上采用液相剥离方法或者化学气相沉积CVD方法制备，形成单分子层或者少分子层的结构；主动控制直流电源通过附加电极，以垂直于太赫兹波偏振方向对GaSe/SnS2异质结薄膜施加调制电压，所述附加电极为侧向电极，即异质结面内电极。
2.如权利要求1所述的硒化镓/二硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件，其特征是，所述的附加电极材料为掺锡氧化铟、金或银。
3.如权利要求1所述的硒化镓/二硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件，其特征是，所述的主动控制直流电源为可编程直流电源，在附加电极之间施加电控所需的直流电压与任意波形。
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