[发明专利]一种纳米环的制备方法

权利要求书

1.一种纳米环的制备方法，其特征在于，包括：

在氮化镓基外延衬底上沉积出氧化膜；

在所述氧化膜的表面旋涂光刻胶；

基于具有预设图案的掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影以将所述光刻胶图案化，所述图案化的光刻胶包括呈阵列排布在所述氧化膜上的多个纳米级环状凸起；

使用氧气等离子体对所述图案化的光刻胶进行刻蚀；

基于所述图案化的光刻胶对所述氧化膜进行刻蚀以将所述氧化膜图案化，所述图案化的氧化膜包括呈阵列排布在所述氮化镓基外延衬底上的多个纳米级环状凸起。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设图案中任意两点之间的距离小于或等于2微米。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述图案化的光刻胶对所述氧化膜进行刻蚀以将所述氧化膜图案化之后包括：

基于所述图案化的氧化膜对所述氮化镓基外延衬底进行刻蚀以将所述氮化镓基外延衬底图案化，所述图案化的氮化镓基外延衬底包括呈阵列排布的多个纳米级环状凸起。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化膜的表面旋涂光刻胶包括：

在所述氧化膜的表面旋涂光刻胶黏附层；

在所述光刻胶黏附层的表面旋涂光刻胶；

对所述光刻胶进行前烘。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻胶进行曝光显影以将所述光刻胶图案化包括：

获取所述光刻胶的旋涂条件；

根据所述旋涂条件确定曝光显影条件；

根据所述曝光显影条件对所述光刻胶进行曝光显影以将所述光刻胶图案化。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化膜为二氧化硅膜层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所述图案化的光刻胶对所述氧化膜进行刻蚀以将所述氧化膜图案化包括：

基于所述图案化的光刻胶使用三氟甲烷和氧气的混合等离子体对所述氧化膜进行刻蚀以将所述氧化膜图案化。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氮化镓基外延衬底为氮化镓基的LED晶片。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基于所述图案化的氧化膜对所述氮化镓基外延衬底进行刻蚀以将所述氮化镓基外延衬底图案化包括：

基于所述图案化的氧化膜使用氯气和三氯化硼的混合等离子体对所述氮化镓基外延衬底进行刻蚀以将所述氮化镓基外延衬底图案化。