[发明专利]一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法

权利要求书

1.一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法，其特征在于，包括：

基于碳化硅二极管的基本结构和材料组成，通过Geant4构建碳化硅二极管的仿真模型；

在Geant4中进行仿真模拟，包括：将入射粒子射入所述碳化硅二极管，模拟不同偏置电场下所述入射粒子在所述碳化硅二极管内部的粒子运动轨迹及所述碳化硅二极管的初始缺陷损伤分布；

基于所述碳化硅二极管的仿真模型和初始缺陷损伤分布，通过TCAD软件模拟所述碳化硅二极管的缺陷损伤演化过程，以分析缺陷损伤对碳化硅二极管的电学性能的影响；

所述在Geant4中进行仿真模拟，还包括：构建不同电场强度下，入射粒子入射碳化硅二极管时入射粒子及次级粒子行迹分布图；

所述在Geant4中进行仿真模拟，还包括：构建不同偏置电场下，电离能损随入射粒子的入射深度的变化示意图。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，构建碳化硅二极管的仿真模型之前，还包括：

利用FIB(聚焦离子束，Focused Ion beam)对碳化硅二极管进行纵向剖切，标定剖切后每层碳化硅二极管的成分，获得碳化硅二极管的基本结构和材料组成。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在Geant4中进行仿真模拟之前还包括：

在Geant4中设定偏置电场的大小、入射粒子的入射方向、入射粒子的种类和入射粒子的能量。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将入射粒子射入碳化硅二极管包括：

将入射粒子从碳化硅二极管的正极表面垂直射入。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述入射粒子为高能快重离子。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述高能快重离子的能量为200MeV以上。