[发明专利]驱动装置、供电系统以及测试驱动装置的方法在审
申请号: | 202010319153.8 | 申请日: | 2020-04-21 |
公开(公告)号: | CN111835182A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 归山隼一 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M7/5387;H02P27/06 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉;董典红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 装置 供电系统 以及 测试 方法 | ||
1.一种驱动装置,包括:
传感器,被配置为检测并输出被施加到功率晶体管的应力的状态作为检测电压;
阈值电压设置电路,被配置为输出阈值电压;
异常监视电路,被配置为通过比较所述检测电压与所述阈值电压,来确定被施加到所述功率晶体管的所述应力的所述状态是否异常;以及
控制电路,被配置为当所述异常监视电路确定所述应力的所述状态为异常时,根据所述应力的类型将所述功率晶体管固定为导通或截止,
其中,当操作模式为测试模式时,所述控制电路还被配置为通过切换由所述阈值电压设置电路设置的所述阈值电压的电平,来测试所述异常监视电路是否确定所述应力的所述状态为异常,以便在正常操作的所述异常监视电路中确定被施加到所述功率晶体管的所述应力的状态为异常。
2.根据权利要求1所述的驱动装置,
其中,所述应力是被施加到所述功率晶体管的电压,
其中,所述异常监视电路被配置为通过将根据施加到所述功率晶体管的、从所述传感器输出的所述检测电压与所述阈值电压进行比较,来确定被施加到所述功率晶体管的电压是否处于过电压状态,并且
其中,所述控制电路被配置为当由所述异常监视电路确定被施加到所述功率晶体管的电压处于过电压状态时,强制导通所述功率晶体管。
3.根据权利要求2所述的驱动装置,
其中,所述传感器包括第一电阻性元件和第二电阻性元件,所述第一电阻性元件和所述第二电阻性元件被串联布置在所述功率晶体管的第一端子与第二端子之间,并且
其中,所述传感器将在所述第一电阻性元件与所述第二电阻性元件之间的节点处的电压输出作为所述检测电压。
4.根据权利要求1所述的驱动装置,
其中,所述应力是流经所述功率晶体管的电流,
其中,所述异常监视电路被配置为通过将根据流经所述功率晶体管的电流的、从所述传感器输出的所述检测电压与所述阈值电压进行比较,来确定流经所述功率晶体管的电流是否处于过电流状态,并且
其中,所述控制电路被配置为当所述异常监视电路确定流经所述功率晶体管的电流处于过电流状态时,强制截止所述功率晶体管。
5.根据权利要求4所述的驱动装置,
其中,所述功率晶体管是绝缘栅双极晶体管(IGBT)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),并且
其中,所述传感器被配置为将所述功率晶体管的集电极电压或漏极电压输出作为所述检测电压,所述集电极电压或漏极电压指示与所述功率晶体管的集电极电流或漏极电流相对应的电压值。
6.根据权利要求4所述的驱动装置,
其中,所述功率晶体管是多发射极型绝缘栅双极晶体管(IGBT)、或多源极型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),并且
其中,所述传感器具有电阻器,所述电阻器用于将从所述功率晶体管的电流感测发射极或电流感测源极输出的电流转换为所述检测电压。
7.根据权利要求1所述的驱动装置,
其中,所述应力是所述功率晶体管的温度,并且
其中,所述异常监视电路被配置为当所述异常监视电路通过将根据所述功率晶体管的所述温度的、从所述传感器输出的所述检测电压与所述阈值电压进行比较而确定所述功率晶体管的所述温度过热时,强制截止所述功率晶体管。
8.根据权利要求7所述的驱动装置,
其中,所述传感器包括:
恒定电流源,以及
二极管,从所述恒定电流源输出的恒定电流流经所述二极管,
其中,所述传感器输出所述二极管的正向电压作为所述检测电压,所述二极管的所述正向电压根据所述功率晶体管的温度而变化。
9.根据权利要求1所述的驱动装置,还包括:栅极电压监视电路,被配置为监视所述功率晶体管的栅极电压。
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