[发明专利]器件结构及封装方法、滤波器、电子设备

权利要求书

1.一种器件结构，包括：

第一基底和第二基底，彼此对置的间隔开布置；

封装层，设置在对置的第一基底与第二基底之间，以限定在第一基底与第二基底之间的封装空间，封装空间具有封装高度；

MEMS器件，设置于第一基底和/或第二基底，且位于封装空间之内，所述MEMS器件的高度小于封装高度，

其中：

所述封装层包括设置在第一基底从第一基底朝向第二基底延伸的第一密封层，以及设置在第二基底从第二基底朝向第一基底延伸的第二密封层，第一密封层和第二密封层彼此对置；且

所述封装层还包括设置在第一密封层与第二密封层之间的金属互溶键合结构层，所述互溶键合金属层为由金与键合金属形成的互溶键合金属层，所述第一密封层和/或第二密封层包括所述键合金属。

2.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

所述键合金属为铜、锡、铟、铝中的一种或以上金属的复合或合金。

3.根据权利要求2所述的器件结构，其中：

所述键合金属为铜。

4.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

所述金属互溶键合结构层的厚度在50nm-10μm的范围内。

5.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

所述金属互溶键合结构层的厚度在200nm-1μm的范围内。

6.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

所述MEMS器件包括体声波谐振器。

7.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

所述第一密封层和第二密封层与所述金属互溶键合结构层接触的部分均为所述键合金属。

8.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

封装层还包括设置在第一密封层与第一基底之间的第一粘附金属层，以及设置在第二密封层与第二基底之间的第二粘附金属层。

9.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

所述封装层为导电结构；且

所述第一基底或第二基底在设置封装层的对应位置设置有导电通孔，所述导电通孔与所述封装层彼此相接而电连接。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的器件结构，其中：

所述封装层还包括隔离层，所述隔离层设置在所述第一密封层或第二密封层与所述金属互溶键合结构层之间，所述隔离层的材料为钛、铱、锇、钨、铬中的一种或以上金属的复合或合金。

11.根据权利要求10所述的器件结构，其中：

所述隔离层为钛钨合金。

12.根据权利要求10所述的器件结构，其中：

所述隔离层的厚度在10nm-10μm的范围内。

13.一种器件封装方法，包括步骤：

提供第一基底，第一基底设置有第一封装结构；

提供第二基底，第二基底上对应的位置设置有第二封装结构，

其中：

第一基底和/或第二基底设置有MEMS器件；

第一封装结构或第二封装结构的纵向端部设置有金层，第一封装结构和/或第二封装结构包括键合金属；

所述方法还包括步骤：

将第一封装结构与第二封装结构彼此对置从而所述金层与所述键合金属在器件的厚度方向上相接，所述第一封装结构和第二封装结构围绕所述MEMS器件设置；和

加压以使得所述键合金属与金键合，使得金层的金以互溶的方式完全与所述键合金属互溶而形成互溶键合金属层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

在加压以使得所述键合金属与金键合的步骤中，金仅仅与第一封装结构或第二封装结构的键合金属互溶键合。