[发明专利]一种二维晶体的生长方法

权利要求书

1.一种二维晶体的生长方法，其特征在于，所述晶体生长方法包括以下步骤：

S1.配置原溶剂，即将长晶体所需的溶质加入到原溶剂中，并充分搅拌至溶液无溶质沉淀；

S2.制膜，即在S1配置好的溶液中加入表面活性物质，然后将溶液倒入特制模具中制造出气泡膜；

S3.保温，将S2制备的气泡膜放入恒温箱中；

S4.通气氛，即将反溶剂以气体的形式注入恒温箱中；

S5.扩面，即通过模具中的工具改变气泡膜的表面积，从而制得晶体。

2.根据权利要求1所述的二维晶体的生长方法，其特征在于，所述长晶体所需的溶质为钙钛矿材料，具体为氯化铅和氯化铯，所述氯化铅和氯化铯的摩尔比为1:1。

3.根据权利要求1所述的二维晶体的生长方法，其特征在于，所述原溶剂为极性大于4.5的有机溶液。

4.根据权利要求1所述的二维晶体的生长方法，其特征在于，所述反溶剂为极性小于4.5的有机溶液。

5.根据权利要求1所述的二维晶体的生长方法，其特征在于，所述充分搅拌所用的实验工具为磁力搅拌器；所述表面活性物质为磺酸盐类表面活性物质。

6.根据权利要求1所述的二维晶体的生长方法，其特征在于，所述恒温箱中的温度为90-140℃。

7.根据权利要求1所述的二维晶体的生长方法，其特征在于，所述模具由聚四氟乙烯底盘和工具构成；所述工具包括工具(1)、工具(2)、工具(3)的任意一种。

8.根据权利要求8所述的二维晶体的生长方法，其特征在于，所述工具(1)所用材料为耐高温的石英玻璃材料；由边(2001)、边(2002)、边(2003)、边(2004)四条边构成；所述边(2003)、边(2004)具体为相互平行的两端密封的外径5mm、内径4mm的空心圆环；所述边(2001)、边(2002)为相互平行的直径为3mm的实心圆柱；所述边(2001)、边(2002)的两个端点设置在边(2003)、边(2004)内部，可滑动改变表面积。

9.根据权利要求8所述的二维晶体的生长方法，其特征在于，所述工具(2)所用材料为高纯石英玻璃材料；具体为一条可弯曲的高纯石英玻璃棒(3001)；所述玻璃棒(3001)一端端点设有孔(3002)，玻璃棒(3001)穿过孔(3002)形成一个闭合面，可滑动改变表面积。

10.根据权利要求8所述的二维晶体的生长方法，其特征在于，所述工具(3)所用材料为耐高温的石英玻璃材料；由边(4001)、边(4002)、边(4003)、边(4004)四条边构成；所述边(4001)、边(4003)平行；所述边(4002)、边(4004)平行；所述四条边均为两端密封的外径5mm、内径4mm的空心圆环；所述边(4001)设有孔(4005)，所述边(4002)设有孔(4006)，所述边(4003)设有孔(4007)，所述边(4004)设有孔(4005)；所述边(4002)通过孔(4005)与边(4001)连接，所述边(4003)通过孔(4006)与边(4002)连接，所述边(4004)通过孔(4007)与边(4003)连接，所述边(4001)通过孔(4008)与边(4004)连接；四条边左边端点(4005)、(4006)、(4007)和(4008)可在对应接触的石英玻璃棒中滑动，从而改变所围的表面积。