[发明专利]用于减轻干扰的非易失性存储装置及其操作方法在审
申请号: | 202010320616.2 | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN112242154A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 尹正赫 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C8/08;G11C8/14;G11C7/12;G11C7/18 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;阮爱青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 减轻 干扰 非易失性 存储 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种非易失性存储装置,包括:
感测放大器,其被配置为感测选中的存储单元是否发生骤回;以及
写入电路,其被配置为:
基于写入信号来将预选电压施加至所述选中的存储单元;
当所述选中的存储单元发生骤回时,基于写入数据来将复位写入电压和置位写入电压中的一个施加至所述选中的存储单元;以及
当所述选中的存储单元未发生骤回时,中断施加至所述选中的存储单元的电压和电流。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述预选电压低于所述复位写入电压而高于所述置位写入电压。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述写入电路包括:
写入控制电路,其配置为:
基于所述写入信号来生成预选信号;
当所述选中的存储单元发生骤回时,基于所述写入数据来生成复位写入信号和置位写入信号中的一个;以及
当所述选中的存储单元未发生骤回时,禁止所述预选信号并阻止生成所述复位写入信号和所述置位写入信号;以及
写入驱动器,其配置为:
基于所述预选信号来将所述预选电压施加至所述选中的存储单元;
基于所述复位写入信号来将所述复位写入电压施加至所述选中的存储单元;以及
基于所述置位写入信号来将所述置位写入电压施加至所述选中的存储单元。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储装置,其中,所述写入控制电路被配置为:
基于所述写入信号来生成所述预选信号,
基于所述写入数据和从所述感测放大器输出的感测信号来生成所述复位写入信号和所述置位写入信号,以及
当所述感测信号被禁止时,不生成所述复位写入信号并且不生成所述置位写入信号。
5.根据权利要求3所述的非易失性存储装置,其中,所述写入控制电路包括:
写入脉冲发生器,其被配置为基于所述写入信号来生成复位脉冲信号和置位脉冲信号;
复位写入信号发生器,其被配置为基于所述写入数据、所述复位脉冲信号和从所述感测放大器输出的感测信号来生成所述复位写入信号;
置位写入信号发生器,其被配置为基于所述写入数据、所述置位脉冲信号和所述感测信号来生成所述置位写入信号;以及
预选信号发生器,其被配置为基于所述写入信号、所述复位脉冲信号和所述置位脉冲信号中的至少一个来生成所述预选信号。
6.根据权利要求3所述的非易失性存储装置,其中,所述写入驱动器包括:
第一全局控制电路,其被配置为基于所述预选信号、所述复位写入信号和所述置位写入信号,将第一高电压、第二高电压和第三高电压中的一个施加至与所述选中的存储单元耦接的第一全局电极;以及
第二全局控制电路,其被配置为基于所述预选信号、所述复位写入信号和所述置位写入信号,将第一低电压、第二低电压和第三低电压中的一个施加至与所述选中的存储单元耦接的第二全局电极,并且被配置为控制第一电流、第二电流和第三电流中的一个流经所述第二全局电极。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储装置,其中,所述第一高电压低于所述第二高电压而高于所述第三高电压。
8.根据权利要求6所述的非易失性存储装置,其中,所述第一低电压高于所述第二低电压和所述第三低电压,并且所述第二低电压等于或低于所述第三低电压,
其中,所述第三电流小于所述第二电流而大于所述第一电流。
9.根据权利要求6所述的非易失性存储装置,其中:
所述第一高电压与所述第一低电压之间的差对应于所述预选电压;
所述第二高电压与所述第二低电压之间的差对应于所述复位写入电压;以及
所述第三高电压与所述第三低电压之间的差对应于所述置位写入电压。
10.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述预选电压对应于复位分布最大电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010320616.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磁存储器件
- 下一篇:半导体装置及其制造方法