[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制造方法有效
| 申请号： | 202010320861.3 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111477653B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李海旭;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张相钦 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示面板，其特征在于，该显示面板包括TFT基板、位于TFT基板上的Micro-LED以及包括反光层，所述反光层包括包裹所述Micro-LED的侧壁的第一反光层和位于相邻的所述Micro-LED之间的第二反光层，所述第一反光层和所述第二反光层通过金属溅射工艺形成；所述第二反光层位于所述相邻的第一反光层的底端；该反光层使得所述Micro-LED发出的光线从所述Micro-LED的顶部导出。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反光层和所述Micro-LED相对于所述TFT基板的高度之差小于1微米。
3.根据权利要求1至2任何一项所述的显示面板，其特征在于，所述TFT基板包括绝缘层，所述显示面板包括绝缘部件，该绝缘部件位于所述绝缘层上且至少接触所述Micro-LED底部的边缘。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在所述反光层包括第二反光层的情况下，所述第二反光层位于所述绝缘层上，所述绝缘部件位于该第二反光层的端部。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘部件是形成于所述绝缘层上的平坦化层，在所述反光层包括第二反光层的情况下，该第二反光层位于所述平坦化层上。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括位于所述第二反光层上的遮光层。
7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至6任何一项所述的显示面板。
8.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
将Micro-LED置于TFT基板的上方；
形成至少包裹所述Micro-LED的侧壁的反光层，该反光层使得所述Micro-LED的出光从所述Micro-LED的顶部导出；所述反光层包括包裹所述Micro-LED的侧壁的第一反光层和位于相邻的所述Micro-LED之间的第二反光层，所述第一反光层和所述第二反光层通过金属溅射工艺形成；所述第二反光层位于所述相邻的第一反光层的底端。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成所述反光层前，涂覆平坦化材料形成第二平坦化层，所述第二平坦化层的至少部分位于所述Micro-LED的下方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
