[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010320880.6 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112242356A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 时定康;陈振隆;蔡邦彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体装置的方法，包括：
提供一工件，包括一第一源极/漏极区在一第一装置区中，及一第二源极/漏极区在一第二装置区中；
在该第一源极/漏极区及该第二源极/漏极区上沉积一介电层；
在该介电层中形成一第一导孔开口以露出该第一源极/漏极区，并在该介电层中形成一第二导孔开口以露出该第二源极/漏极区；
退火该工件以在露出的该第一源极/漏极区上形成一第一半导体氧化物部件，并在露出的该第二源极/漏极区上形成一第二半导体氧化物部件；
去除该第一半导体氧化物部件以露出在介电层中该第一导孔开口中的该第一源极/漏极区；以及
选择性地在露出的该第一源极/漏极区上形成一第一外延部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
