[发明专利]一种基于层状倾斜ITO纳米棒阵列的可见光高透过的中红外吸波器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010321081.0 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111479458B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 闫长春;施维捷;曹博文;郭慧 | 申请（专利权）人： | 江苏师范大学 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 221116 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 层状 倾斜 ito 纳米 阵列 可见光 透过 红外 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于层状倾斜ITO纳米棒阵列的可见光高透过的中红外吸波器件，其特征在于，所述吸波器件由自下而上依次叠加排列的三层倾斜的ITO纳米棒阵列构成，三层ITO纳米棒的倾斜角自下而上分别为14.6°、28.2°、45.8°，三层ITO纳米棒的半径自下而上依次减小，其中每层ITO纳米棒阵列厚度为200nm，每层ITO纳米棒阵列均呈六方晶格排列。
2.一种权利要求1所述的基于层状倾斜ITO纳米棒阵列的可见光高透过的中红外吸波器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：将洁净干燥的透明衬底置于电子束蒸发镀膜系统的样品台，将初始原料ITO置于电子束蒸发镀膜系统的蒸发源，设置电子束蒸发速率，利用倾斜角沉积方法，在衬底上依次进行40°、60°和80°三个不同沉积角度的沉积，每层沉积厚度为200nm；
步骤二：沉积结束后对样品进行退火处理，得到所述层状倾斜ITO纳米棒阵列结构。
3.根据权利要求2所述的基于层状倾斜ITO纳米棒阵列的可见光高透过的中红外吸波器件的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述初始原料为中红外等离激元共振纳米材料ITO，由90wt％In2O3和10wt％SnO2组成。
4.根据权利要求2所述的基于层状倾斜ITO纳米棒阵列的可见光高透过的中红外吸波器件的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述透明衬底选用玻璃。
5.根据权利要求2所述的基于层状倾斜ITO纳米棒阵列的可见光高透过的中红外吸波器件的制备方法，其特征在于，步骤一中，沉积角为40°时电子束蒸发速率为6.67nm/min，沉积角为60°时电子束蒸发速率为5.92nm/min，沉积角为80°时电子束蒸发速率为5.17nm/min。
6.根据权利要求2所述的基于层状倾斜ITO纳米棒阵列的可见光高透过的中红外吸波器件的制备方法，其特征在于，步骤二中，沉积结束后样品在550℃、1atm的环境下退火30min。
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