[发明专利]一种基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板

权利要求书

1.一种基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板，其特征在于，基于同种TFT器件单元，实现将蓝光探测、显示驱动、读写电路和信号处理电路等多种应用高度集成，包括：

衬底、光电探测阵列和设置于同一衬底上的显示驱动阵列和TFT信号读写及处理电路阵列；

所述显示驱动阵列，包括成阵列分布的显示驱动单元，所述显示驱动单元由N沟道的第一TFT结构单元组成；

所述TFT信号读写及处理电路阵列，包括成阵列分布的信号读取单元、信号写入单元和信号处理单元，所述信号读取单元、信号写入单元和信号处理单元均由N沟道和/或P沟道的第一TFT结构单元组成；所述信号写入单元和所述显示驱动单元连接；

所述光电探测阵列，包括成阵列分布的光电探测单元，所述光电探测单元由P沟道的第二TFT结构单元组成,形成于TFT信号读写及处理电路阵列上，并通过互连金属和信号读取单元连接；光电探测阵列具有对蓝光响应的高灵敏度，可探测蓝光；

所述第一TFT结构单元，包括在第一衬底上形成的第一栅电极，覆盖第一栅电极的第一介电层，在第一介电层上形成的第一沟道层，在第一沟道层的两侧上形成第一源漏电极，在第一沟道层上形成钝化层；

所述第二TFT结构单元，包括在第二衬底上形成的第二栅电极，覆盖第二栅电极的第二介电层、在第二介电层上形成光电探测层，在光电探测层的两侧上形成第二源漏电极；

所述第一沟道层和光电探测层为具有双极特性的金属氧化物半导体，所述金属氧化物半导体采用氧化锡材料或掺杂的氧化锡材料。

2.如权利要求1所述的基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板，其特征在于，所述光电探测单元设置在所述信号读取单元上，所述第二TFT结构单元的第二衬底为所述第一TFT结构单元的钝化层，所述光电探测单元通过互连金属和所述信号读取单元连接。

3.如权利要求1所述的基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板，其特征在于，所述钝化层采用SiO2、Si 3N4、SiON中的一种。

4.如权利要求1所述的基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板，其特征在于，所述源漏电极采用金属Ni、Au、Cr中的一种。

5.如权利要求1所述的基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板，其特征在于，所述介电层采用高介电常数材料HfO2、ZrO2、Al 2O3中的一种。

6.如权利要求1所述的基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板，其特征在于，所述栅电极采用重掺杂的Si衬底或金属TaN。

7.权利要求1所述的基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板，其特征在于，所述互连金属为Mo，Pt，Al，Ti，Co，Au，Cu，Ag或者掺杂多晶硅中的一种或其任意组合。