[发明专利]一种硅片清洗机构及其换补液工艺

权利要求书

1.一种硅片清洗机构，其特征在于，依次包括预清洗单元、药液清洗单元、一次漂洗单元、化学液漂洗单元、二次漂洗单元和满提拉单元，其中，所述预清洗单元、所述一次漂洗单元、所述二次漂洗单元和所述满提拉单元中均至少设有一个纯水槽；

所述药液清洗单元设有若干一号药液槽；

所述化学液漂洗单元至少设有一个二号药液槽；

所述药液清洗单元和化学液漂洗单元一起或与所述预清洗单元、一次漂洗单元、所述二次漂洗单元和所述满提拉单元一起同步进行补液或换液。

2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗机构，其特征在于，每个所述一号药液槽和所述二号药液槽内均设有若干个独立设置的药液管，所述药液管分别与外设药液源连通；

所述药液清洗单元设有两个所述一号药液槽，所述一号药液槽均相互独立设置；

所述化学液漂洗单元设有一个二号药液槽；

每个所述纯水槽、所述一号药液槽和所述二号药液槽均设有蓄水管，所述蓄水管均与同一个外设蓄水源连通。

3.根据权利要求1或2所述的一种硅片清洗机构，其特征在于，所述蓄水管上设有加热器和温度传感器，与所述纯水槽连接的所述加热器的温度值小于与所述一号药液槽或所述二号药液槽连接的所述加热器的温度值；

所述纯水槽中的所述加热器的温度值相同；

所述一号药液槽与所述二号药液槽中的所述加热器的温度值相同；

每个所述纯水槽、所述一号药液槽和所述二号药液槽中均设有超声振动。

4.一种硅片清洗换补液工艺，其特征在于，采用如权利要求1-3任一项所述的清洗机构，具体步骤包括：

S1：每清洗设定数量的硅片后，分别按照预设比例同步向所述药液清洗单元补充一号药液和向所述化学液漂洗单元补充二号药液；

S2：循环所述S1，直至被清洗的所述硅片总数达到第一数量时或所述硅片总数是所述第一数量的整数倍时，分别重新置换所述药液清洗单元中的所述一号药液和水形成的一号混合液和所述化学液漂洗单元中所述二号药液与水形成的二号混合液；

其中，在所述S1中所述一号药液补充量的预设比例与所述二号药液补充量的预设比例不同。

5.根据权利要求4所述的一种硅片清洗换补液工艺，其特征在于，在所述S1中，所述硅片的所述设定数量为2.5-4.5万片；其中，所述硅片的所述设定数量为3万片。

6.根据权利要求4或5所述的一种硅片清洗换补液工艺，其特征在于，所述一号药液补充量是所述一号混合液中所述一号药液配制体积比的1/2；所述一号药液包括强碱溶液和活性剂，所述强碱溶液与所述活性剂的体积比为2：1。

7.根据权利要求6所述的一种硅片清洗换补液工艺，其特征在于，所述一号混合液中所述一号药液与水的体积比为(0.8-1.2％)：1；所述强碱为氢氧化钾或氢氧化钠。

8.根据权利要求4或5所述的一种硅片清洗换补液工艺，其特征在于，所述二号药液补充量是所述二号混合液中所述二号药液配制体积比的1/4；所述二号药液为双氧水；

所述二号混合液还包括氢氧化钾，所述二号混合液中所述氢氧化钾、所述双氧水与水的体积比为：1：4：80。

9.根据权利要求4-5、7-8任一项所述的一种硅片清洗换补液工艺，其特征在于，还包括S3，所述S3包括：

循环所述S1和所述S2，直至被清洗的所述硅片总数达到第二数量时，分别重新置换所述预清洗单元、所述药液清洗单元、所述一次漂洗单元、所述化学液漂洗单元、所述二次漂洗单元和所述满提拉单元中的所述纯水或所述一号混合液或所述二号混合液；

所述第一数量为15-21万片；所述第二数量为60-84万片；

在所述S1、所述S2和所述S3过程中，所述预清洗单元、所述一次漂洗单元、所述二次漂洗单元和所述满提拉单元中的溶液温度均为40-50℃；

所述药液清洗单元和所述化学液漂洗单元中的溶液温度为50-60℃。

10.根据权利要求9所述的一种硅片清洗换补液工艺，其特征在于，执行所述S3后，开始新一轮所述硅片计数并重复执行所述S1、所述S2和所述S3。