[发明专利]电压位准偏移设备在审
申请号: | 202010321353.7 | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN112530480A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 桑吉夫·库马尔·甄恩 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C11/413 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 偏移 设备 | ||
1.一种电压位准偏移设备,其特征在于,包括:
一电压输入端子,用以接收以一第一电压位准操作的一第一信号,以及
具有一输入端和一输出端的一反相器,该电压输入端子连接到该反相器输入端;
一第一互补对的PMOS和NMOS晶体管,该第一互补对的PMOS和NMOS晶体管漏极连接在一起,该些连接的漏极建立一互补位准偏移输出电压节点,并且该电压输入端子连接到该第一互补对中的该NMOS晶体管的该栅极;
一第二互补对的PMOS和NMOS晶体管,该第二互补对的PMOS和NMOS晶体管漏极连接在一起,该些连接的漏极建立一位准偏移输出电压节点,并且该反相器的该输出端连接到该第二互补对中的该NMOS晶体管的该栅极;以及
一第一电压选择器,该第一电压选择器连接在该位准偏移输出节点与该第一互补对中的该PMOS晶体管的该栅极之间,以及
一第二电压选择器,该第二电压选择器连接在该互补位准偏移输出节点与该第二互补对中的该PMOS晶体管之间,当该互补位准偏移输出电压节点的电压上升到一逻辑1时,该第一电压选择器选择性地向该第一互补对中的该PMOS晶体管的该栅极施加一中间电压,并且当该位准偏移输出节点的电压上升到一逻辑1时,该第二电压选择器向该第二互补对中的该PMOS晶体管的该栅极施加该中间电压。
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