[发明专利]光源装置以及发光装置在审
申请号: | 202010321648.4 | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN111863856A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 大沼宏彰;内森·科尔;藤田祐介;小野高志 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 王娟 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 装置 以及 发光 | ||
本发明通过使发光元件不易从光源装置的基底基板剥离以及使颜色转换层不易从发光元件剥离,从而提供高色域的光源装置。光源装置(1)具备:多个发光元件(13);荧光体层(15、16),其在光从发光元件(13)的射出侧位置,按多个发光元件(13)的每一个设置,且一部分与发光元件(13)接触;光遮挡层(18),其与荧光体层(15、16)彼此的荧光体层(15、16)不同;以及加强树脂层(14),其设置于发光元件(13)彼此之间。
技术领域
本发明涉及具有发光元件以及荧光体层的光源装置以及发光装置。
背景技术
作为具有发光元件以及荧光体层的装置,公知有例如公开于专利文献1的微型半导体发光元件(Light Emitting Diode;LED)显示器装置。上述显示器装置在驱动基板上的驱动电路(Complementray Metal-Oxide-Semiconductor;CMOS)单元上经由凸块而设置有发光构造物的层,在其上设置有生长基板,在生长基板上设置有多色的色光转换物质的层。这些色光转换物质的层各个由分隔壁分隔。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第638307号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而,上述以往的显示器装置无法在如按各色的色光转换物质的每个层而具有取代上述发光构造物之层的发光元件那样的光源装置的结构中应用。这样的光源装置是例如在基底基板上分别经由电极而设置有多个发光元件,并在发光元件上设置有荧光体层那样的结构。而且在这样的光源装置中,谋求几十~几微米之类的显示器像素尺寸的微细化,伴随于此,成为像素的发光元件与具有电路的基底基板接合的接合面积变小,因此在制造工序中,发光元件容易从基底基板剥离。此外,上述以往的显示器装置作为显示器具有不易实现足够的颜色再现范围的问题点。这也导致了如下问题点:为了在微小的接合面积中确保颜色转换层的厚度,即以高纵横比形成颜色转换层,由此形成在发光元件上的颜色转换层变得容易剥离。
本发明的一方式的目的在于,在基底基板上按各色的荧光体层每一个而具有发光元件的结构的光源装置中,通过具有在制造工序中发光元件不易从基底基板剥离的特征和形成在发光元件上的颜色转换层不易剥离的特征,从而作为显示器实现具有足够的颜色再现范围的光源装置以及发光装置。
解决问题的方案
为了解决上述课题,本发明的一方式所涉及的光源装置具备:多个发光元件;荧光体层,其在光从上述发光元件的射出侧位置按每个上述发光元件设置,且一部分与上述发光元件接触;光遮挡层,其设置于相邻的上述荧光体层彼此之间,且与上述荧光体层不同;以及加强层,其设置于相邻的上述发光元件彼此之间。
发明效果
根据本发明的一方式,能够实现几十~几微米这样的微小的像素尺寸且高颜色再现范围的显示器,并且能够使发光元件不易从基底基板剥离、以及使形成在发光元件上的颜色转换层不易剥离。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图2是表示图1所示的光遮挡层的材料、以及使用了该材料的情况下的功能以及效果的说明图。
图3是表示本发明的其他实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
图4的(a)是在不具有基底层(记载于图3)的光源装置中通过跨相邻的发光元件的金属制的光遮挡层而使上述发光元件彼此短路的情况下的说明图。图4的(b)是在具有图3所示的基底层以及图4的(a)所示的光遮挡层的光源装置中通过基底层防止图4的(a)所示的短路的情况下的说明图。
图5是表示本发明的又一其他实施方式的光源装置的结构的纵剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的