[发明专利]高能电子探测器定标装置、方法及反演高能电子通量方法在审
申请号: | 202010321684.0 | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN113534234A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 薛炳森;张宇;曹建峰;李黎;郑巍;周率 | 申请(专利权)人: | 国家卫星气象中心(国家空间天气监测预警中心);北京天译科技有限公司 |
主分类号: | G01T7/00 | 分类号: | G01T7/00;G01T1/29 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 高园园 |
地址: | 100081 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高能 电子 探测器 定标 装置 方法 反演 通量 | ||
本发明公开了一种高能电子探测器定标装置、方法及反演高能电子通量方法,所述装置包括:高能电子发生装置、深层充电装置以及高能电子探测器,其中所述深层充电装置与所述高能电子探测器均设置于所述高能电子发生装置的后端,以接收所述高能电子发生装置发射的高能电子束。所述方法包括:同时向深层充电装置和高能电子探测器发射高能电子束;计算发射至所述深层充电装置的高能电子通量F0;计算所述高能电子探测器的高能电子通量探测值Fd;根据所述深层充电装置的高能电子通量F0与所述高能电子探测器的高能电子通量探测值Fd对空间高能电子探测器进行定标。本发明通过所述装置及方法可有效提高空间高能电子探测器的准确性。
技术领域
本发明涉及卫星内部介质充电技术领域,具体涉及一种高能电子探测器定标装置、方法及反演高能电子通量方法。
背景技术
空间高能电子穿过卫星表面,在卫星构件的电解质材料的内部传输并沉积从而建立电场的过程称为内部介质充电,内部介质充电是引起地球同步轨道卫星故障和异常的主要原因。根据探测结果显示,介质深层充电电压与高能电子通量密切相关。鉴于高能电子对中高轨道卫星影响的日益严重,在轨高能电子通量的探测准确性受到科研和航天部门的重视。
为了提高空间高能电子探测设备的准确性,在地面实验室对高能电子探测设备进行定标非常重要,但由于目前高能电子加速器初始电子通量无法精确控制,造成高能电子束流的强度不能准确获得,对定标工作的进行带来了很大的不便。
发明内容
为了解决背景技术中的技术问题,提高高能电子探测器的准确性,本发明提供一种高能电子探测器定标装置、方法及反演高能电子通量方法。
本发明所采用的技术方案具体如下:
一种高能电子探测器的定标装置,包括:高能电子发生装置、深层充电装置以及高能电子探测器,其中深层充电装置与高能电子探测器均设置于高能电子发生装置的后端,以接收高能电子发生装置发射的高能电子束。
进一步地方案是,深层充电装置与高能电子发生装置并排设置,且深层充电装置与高能电子探测器沿高能电子束发射方向的中心轴线呈对称分布。
一种高能电子探测器的定标方法,该定标方法采用如上述任一的定标装置,包括:
同时向深层充电装置和高能电子探测器发射高能电子束;
计算发射至深层充电装置的高能电子通量F0;
计算高能电子探测器的高能电子通量探测值Fd;
根据深层充电装置的高能电子通量F0与高能电子探测器的高能电子通量探测值Fd对空间高能电子探测器进行定标。
进一步地方案是,计算发射至深层充电装置的高能电子通量包括以下步骤:
计算入射至深层充电装置介质层表面的高能电子通量F和计算入射至深层充电装置屏蔽层的电子通量变化率rat;
根据深层充电装置屏蔽层的电子通量变化率rat和入射至深层充电装置介质层表面的高能电子通量F,计算入射至深层充电装置的高能电子通量F0;
其中F0=F/rat。
进一步地方案是,计算入射至深层充电装置介质层表面的高能电子通量F包括以下步骤:
获取深层充电装置的深层充电电压U;
根据深层充电电压U计算深层充电电压变化量du;
根据深层充电电压的变化量du和深层充电电压U计算入射至深层充电装置介质层表面的高能电子通量F;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家卫星气象中心(国家空间天气监测预警中心);北京天译科技有限公司,未经国家卫星气象中心(国家空间天气监测预警中心);北京天译科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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