[发明专利]一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置及转运方法

权利要求书

1.一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，包括：

托盘；托盘形成为中空结构；

相变材料；相变材料填充于托盘内中空处；GaN晶体置于托盘上；相变材料为金属铝。

2.根据权利要求1所述的一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，托盘包括：

托盘盒盖；托盘盒盖包括盖板、连接桶体；盖板与连接桶体的上端连接；

托盘盒体；托盘盒体包括盒体壁、底板；盒体壁的下端与底板连接；连接桶体置于盒体壁内，连接桶体的内侧壁与盒体壁的外侧壁连接；盖板、底板与盒体壁之间形成密闭空间，相变材料置于密闭空间内。

3.根据权利要求2所述的一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，在连接桶体的内侧壁上设置有内螺纹，在盒体壁的外侧壁上设置有外螺纹，连接桶体的内侧壁与盒体壁的外侧壁组合陈螺纹连接结构。

4.根据权利要求2所述的一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，在盖板上设置有多个用于放置GaN晶体的凹槽，GaN晶体置于凹槽内。

5.根据权利要求1所述的一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，托盘为采用耐高温、耐化学腐蚀、低热膨胀系数的材料制成。

6.根据权利要求5所述的一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，托盘为石墨制成。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，相变材料在托盘内的填充率≤85%。

8.根据权利要求7所述的一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，托盘内部为真空环境。

9.根据权利要求1所述的一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置的转运方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、按≤85%的填充率将金属铝相变材料填入托盘的密闭空间中；

S2、将托盘盒盖与托盘盒体放入抽真空手套箱中；

S3、将手套箱内部抽真空；

S4、在手套箱内部完成托盘盒盖与托盘盒体的连接密封；

S5、将GaN晶体置于盖板上的凹槽内；

S6、将GaN晶体与转运托盘装置置于HVPE晶体生长设备中的反应区内生长GaN单晶；

S7、GaN单晶长到需要的程度后，将转运托盘装置下降至HVPE晶体生长设备中的出炉区，待托盘及GaN单晶片降温30分钟，温度降至400℃时打开HVPE舱门，用机械手将托盘及GaN单晶片移出至转运车中。