[发明专利]一种测氡仪及其校准方法在审
申请号: | 202010322585.4 | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN111413726A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 秦鸣东;汤商;吕明和;皮春辉;贾伟强;刘启军;樊纯頔;刘少政;朱秀彬;李晓琦 | 申请(专利权)人: | 湖北大秦维康检验测试认证有限公司 |
主分类号: | G01T1/20 | 分类号: | G01T1/20;G01T7/00 |
代理公司: | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人: | 严崇姚;王文超 |
地址: | 湖北省武汉市光谷大道5*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测氡仪 及其 校准 方法 | ||
1.一种测氡仪,包括闪烁室顶盖外壳(4)、闪烁室顶盖(2)、闪烁室底盖外壳(7)、隔板(5)、光电倍增管(PMT)和测氡仪控制电路,所述控制电路包括调节光电倍增管(PMT)的高压电路、处理核脉冲信号的信号滤波电路、以及对核脉冲信号进行计数的计数电路,计数电路与信号滤波电路连接,其特征在于,所述测氡仪控制电路中还包括与信号滤波电路连接的单片机控制电路,单片机控制电路通过程序算法得出核脉冲信号的峰值,转换成能谱信号,在显示屏或显示界面上显示;所述单片机控制电路采用具有AD和DA功能的单片机。
2.根据权利要求1所述的一种测氡仪,其特征在于,所述的测氡仪控制电路还包括电源电路、电压监测电路、通信电路和存储电路;其中,所述信号滤波电路输入端与光电倍增管(PMT)的输出端连接,输出端与计数电路和单片机控制电路并接;所述单片机控制电路分别与存储电路、通信电路、计数电路、电压监测电路和高压电路电连接;所述高压电路与光电倍增管(PMT)电连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种测氡仪,其特征在于,所述的单片机为stm32系列或STC系列的单片机。
4.根据权利要求2所述的一种测氡仪,其特征在于,所述的电源电路由电源芯片及其外围元器件构成;高压电路由运算放大器(U13A)、高压模块(P7)及其外围元器件构成;电压监测电路由运算放大器芯片(U13B)及其外围元器件构成;通信电路包括由串口芯片(U8)及其外围元器件构成的串口通信电路,由USB转串口芯片(U14)及其外围元器件构成的USB转串口通信电路,由蓝牙模块(U2)构成的蓝牙通信电路;存储电路由存储芯片(U3)及其外围元器件构成;单片机为stm32系列或STC系列的单片机。
5.根据权利要求4所述的一种测氡仪,其特征在于,所述的串口芯片(U8)的型号为ST3232BDR,USB转串口芯片(U14)的型号为CP2102,蓝牙模块(U2)的型号为HC-05,存储芯片(U3)的型号为FM25CL64。
6.一种用于校准权利要求1所述测氡仪的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在闪烁室顶盖外壳(4)内安装一标准的α电镀源(1),将闪烁室顶盖外壳(4)与闪烁室底盖外壳(7)合拢封闭;
(2)根据α电镀源(1)的放射性活度确定α粒子的标准计数值,根据α电镀源释放出α粒子的能量确定能谱信号在谱线横坐标的标准道址数;
(3)通过高压电路调节光电倍增管(PMT)的电压,使调试过程中能谱信号在显示屏或显示界面上谱线横坐标的道址数与标准道址数相同或相近,即完成光电倍增管(PMT)高压的参数调试;
(4)通过调节计数电路的阈值电压,使调试过程中α粒子显示屏或显示界面上的计数值与标准计数值相同或相近,即完成光电倍增管(PMT)阈值电压的参数调试。
7.根据权利要求6所述的校准测氡仪的方法,其特征在于,所述第(3)步骤为:
(3)通过高压电路调节光电倍增管(PMT)的电压,使调试过程中能谱信号在显示屏或显示界面上谱线横坐标的道址数与标准道址数相同或相近,完成光电倍增管(PMT)高压的初次参数调试;观察1分钟,再次使调试过程中能谱信号在显示屏或显示界面上谱线横坐标的道址数与标准道址数相同或相近;如此反复三到四次即可完成光电倍增管(PMT)高压的参数调试。
8.根据权利要求6或7所述的校准测氡仪的方法,其特征在于,所述第(1)步骤为:
(1)在闪烁室顶盖外壳(4)内安装一标准的α电镀源(1),将闪烁室顶盖外壳(4)与闪烁室底盖外壳(7)合拢封闭;所述的闪烁室顶盖外壳(4)与待校准测氡仪闪烁室顶盖外壳结构相同,闪烁室顶盖外壳(4)与α电镀源(1)构成闪烁室底座;所述闪烁室底盖外壳(7)为待校准测氡仪的闪烁室底盖外壳。
9.根据权利要求6或7所述的校准测氡仪的方法,其特征在于,所述第(2)步骤中,α电镀源(1)的放射性活度为15-25Bq,α电镀源释放出α粒子的能量为5MeV~7MeV。
10.根据权利要求9所述的校准测氡仪的方法,其特征在于,所述第(2)步骤中,α电镀源(1)的放射性活度为20Bq,α电镀源释放出α粒子的能量为6MeV。
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