[发明专利]一种提高晶圆研磨速率均一性的方法在审
| 申请号： | 202010322645.2 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111331505A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;惠宏业;潘杰;王学泽;杨加明 | 申请（专利权）人： | 上海江丰平芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;B24B37/32 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 201400 上海市奉贤区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 研磨 速率 均一 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高晶圆研磨速率均一性的方法，其特征在于，所述方法包括：将保持环的厚度减小0.4-0.6mm。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述保持环的厚度减小0.5mm。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述保持环的厚度为15-20mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，采用化学机械研磨法对所述晶圆进行研磨。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述晶圆的基底厚度为700-750μm。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶圆的基底厚度为725μm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述晶圆的直径为200mm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述保持环的材质为聚苯硫醚。
9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述晶圆研磨速率为550-800A/min。
10.根据权利要求1-9任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括：
采用化学机械研磨法对直径为200mm的晶圆进行研磨，其中，所述晶圆的基底厚度为700-750μm，所述晶圆研磨速率为550-800A/min，材质为聚苯硫醚的保持环的厚度为15-20mm，将保持环的厚度减小0.4-0.6mm。
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