[发明专利]高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于，原料成分以质量百分比计为50-70％的碳化硅粉、10-30％的硅粉、5-15％的氮化硅粉、5-15％的烧结助剂、1-5％的粘结剂；

将原料混合均匀、成型、升温烧结、炉内冷却制得，其中升温烧结是在10-20h从室温升温至1000℃，保温1-2h，在升温达到600-800℃时，向烧结炉内充入1-10MPa的氮气；再在5-10h从1000℃升温至1300℃，保温3h；再在5-10h从1300℃升温到1720℃，保温2-5h，再从1720℃在3-8h降温到1000℃，随炉冷却至常温，即得。

2.如权利要求1所述的高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于，所述的混合均匀是经过原料混合，经干磨或湿磨方式均质化处理。

3.如权利要求1所述的高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于，所述的成型是经注浆、干压或湿式等静压方式，制备成素坯。

4.如权利要求1所述的高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于，所述的升温烧结是素坯置于烧结炉内，将炉内抽真空至真空表上显＜20Pa，开始加热升温。

5.如权利要求1所述的高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于，所述的升温烧结是在15h从室温升到1000℃，在温度达到700℃时通入2Mpa氮气，继续加热，在1000℃保温2h；在6h由1000℃升温至1300℃，保温2h；在8小时从1300℃升温至1720℃后，保温2h；在4h从1720℃降至1000℃，随炉冷却至常温，即得。

6.如权利要求1所述的高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于，所述的原料成分以质量百分比计为50％的碳化硅粉、20％的硅粉、15％的氮化硅粉、10％的烧结助剂、5％的粘结剂。

7.如权利要求1或6所述的高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于，所述的粘结剂为固态树脂。

8.如权利要求7所述的高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于，所述的固态树脂为酚醛树脂。

9.如权利要求1或6所述的高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于，所述的烧结助剂为氧化钇、氧化铕、氧化铈、氧化铝、氧化镁中的一种或者几种。

10.如权利要求1-9项的任一项所述的制备方法制备的高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷。

11.如权利要求10所述的高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷在陶瓷结构件制备中的应用。

12.如权利要求10所述的应用，其特征在于，所述陶瓷结构件包括耐火砖、热电偶保护管、金属导液管、隔热环。