[发明专利]一种低温共烧陶瓷生料带及其制备方法

权利要求书

1.一种低温共烧陶瓷生料带的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

将第一陶瓷粉体和BS玻璃粉体混合得到陶瓷玻璃混合粉体，并基于所述陶瓷玻璃混合粉体制备得到陶瓷玻璃混合浆料；

基于第二陶瓷粉体制备得到陶瓷浆料；

基于所述陶瓷玻璃混合浆料在基膜的表面形成下材料层，基于所述陶瓷浆料在所述下材料层的表面形成中间材料层，基于所述陶瓷玻璃混合浆料在所述中间材料层的表面形成上材料层，以制备得到所述生料带。

2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷生料带的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：对所述生料带进行烧结的步骤；其中，烧结温度为850℃-900℃。

3.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷生料带的制备方法，其特征在于，所述第一陶瓷粉体的制备方法包括：通过砂磨机将第一陶瓷颗粒磨成所述第一陶瓷粉体；其中，所述第一陶瓷粉体为氧化铝粉体、氧化硅粉体、氧化锆粉体中的一种或两种，所述第一陶瓷粉体的粒度D50为2.0μm-2.2μm；

所述BS玻璃粉体的制备方法包括：

所述BS玻璃粉体按质量比计，包括以下组分：67％-69％的B₂O₃、27％-30％的SiO₂、1％-2％的LiO₂、1％-2％的Na₂O、1％-2％的TiO₂；

按以上比例称重，混合后装入坩埚，并在1500℃-1550℃下熔制成玻璃液，淬冷成玻璃块后，通过砂磨机磨成所述BS玻璃粉体；其中，所述BS玻璃粉体的粒度D50为2.0μm-2.2μm。

4.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷生料带的制备方法，其特征在于，所述第二陶瓷粉体的制备方法包括：通过砂磨机将第二陶瓷颗粒磨成所述第二陶瓷粉体；其中，所述第二陶瓷粉体为氧化硅粉体，所述第二陶瓷粉体的粒度D50为2.0μm-2.2μm。

5.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷生料带的制备方法，其特征在于，基于所述陶瓷玻璃混合粉体制备所述陶瓷玻璃混合浆料的方法包括：将所述陶瓷玻璃混合粉体、第一溶剂及第一分散剂混料后，于其中添加第一树脂及第一增塑剂进行混料，制备得到所述陶瓷玻璃混合浆料；

基于所述第二陶瓷粉体制备所述陶瓷浆料的方法包括：将所述第二陶瓷粉体、第二溶剂及第二分散剂混料后，于其中添加第二树脂及第二增塑剂进行混料，制备得到所述陶瓷浆料。

6.根据权利要求1或5所述的低温共烧陶瓷生料带的制备方法，其特征在于，所述陶瓷玻璃混合粉体中所述第一陶瓷粉体与所述BS玻璃粉体的质量比为(43:57)-(52:48)。

7.一种低温共烧陶瓷生料带，形成于基膜表面，其特征在于，所述生料带由下至上依次包括：下材料层、中间材料层及上材料层；其中，所述下材料层由基于第一陶瓷粉体和BS玻璃粉体制得的陶瓷玻璃混合浆料制成，所述中间材料层由基于陶瓷粉体制得的陶瓷浆料制成，所述上材料层由基于第一陶瓷粉体和BS玻璃粉体制得的陶瓷玻璃混合浆料制成。

8.根据权利要求7所述的低温共烧陶瓷生料带，其特征在于，所述陶瓷玻璃混合浆料中所述第一陶瓷粉体与所述BS玻璃粉体的质量比为(43:57)-(52:48)。

9.根据权利要求7所述的低温共烧陶瓷生料带，其特征在于，所述第一陶瓷粉体为氧化铝粉体、氧化硅粉体、氧化锆粉体中的一种或两种，所述第一陶瓷粉体的粒度D50为2.0μm-2.2μm；所述BS玻璃粉体按质量比计，包括以下组分：67％-69％的B₂O₃、27％-30％的SiO₂、1％-2％的LiO₂、1％-2％的Na₂O、1％-2％的TiO₂；其中，所述BS玻璃粉体的粒度D50为2.0μm-2.2μm。