[发明专利]存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

说明书

本发明提供一种存储器控制方法，包括：发送第一读取指令序列，其指示使用第一读取电压电平读取第一实体单元以获得第一数据；解码第一数据；若第一数据解码失败，发送第二读取指令序列，其指示使用第二读取电压电平读取第一实体单元以获得第二数据；若第二读取电压电平符合第一条件或第二数据符合第二条件，使用辅助信息解码第二数据以提高第二数据的解码成功率；以及若第二读取电压电平不符合第一条件且第二数据不符合第二条件，不使用辅助信息而解码第二数据。此外，本发明也提供一种存储器存储装置及存储器控制电路单元。

技术领域

本发明涉及一种存储器控制技术，尤其涉及一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。

背景技术

数字相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatilememory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

部分类型的存储器存储装置同时支持硬比特模式解码与软比特模式解码。硬比特模式解码具有较快的解码速度，而软比特模式解码则具有较高的解码成功率。在硬比特模式解码中，每当解码失败时，用来读取可复写式非易失性存储器模块中的存储单元的读取电压电平可参照重读表格而被调整，而调整后的读取电压电平可用来重读数据(亦称为硬比特)。一旦硬比特模式解码的重试次数超过一预设值，软比特模式解码可被执行。在软比特模式解码中，更多的读取电压电平可被用于读取存储单元以获得与硬比特有关的额外信息(亦称为软比特)，以通过导入所述额外信息来提高解码成功率。

但是，针对电压偏移较严重的可复写式非易失性存储器模块而言，硬比特模式解码的解码成功率低落，导致系统需要花费许多时间在等待硬比特模式解码结束后才能在软比特模式解码中顺利解码数据。

发明内容

本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可有效提高数据在硬比特模式解码中的解码成功率。

本发明的范例实施例提供一种存储器控制方法，其用于可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制方法包括：发送第一读取指令序列，其指示使用第一读取电压电平读取所述多个实体单元中的第一实体单元以获得第一数据；解码所述第一数据；若所述第一数据的解码失败，发送第二读取指令序列，其指示使用第二读取电压电平读取所述第一实体单元以获得第二数据，其中所述第二读取电压电平不同于所述第一读取电压电平；若所述第二读取电压电平符合第一条件或所述第二数据符合第二条件，使用辅助信息解码所述第二数据，其中所述辅助信息用以提高所述第二数据的解码成功率；以及若所述第二读取电压电平不符合所述第一条件且所述第二数据不符合所述第二条件，不使用所述辅助信息而解码所述第二数据。

在本发明的一范例实施例中，所述的存储器控制方法还包括：根据所述第二读取电压电平是否位于特定电压范围内，决定所述第二读取电压电平是否符合所述第一条件。

在本发明的一范例实施例中，所述的存储器控制方法还包括：获得所述第二数据的校验子数值，其中所述校验子数值与所述第二数据的比特错误率有关；以及根据所述校验子数值是否小于预设值，决定所述第二数据是否符合所述第二条件。

在本发明的一范例实施例中，所述的存储器控制方法还包括：在发送所述第一读取指令序列之前，发送第三读取指令序列，其指示使用第三读取电压电平读取所述第一实体单元以获得第三数据；解码所述第三数据；以及根据所述第一读取电压电平与所述第三读取电压电平决定特定电压范围，其中所述第一读取电压电平与所述第三读取电压电平的其中之一用以界定所述特定电压范围的上边界，且所述第一读取电压电平与所述第三读取电压电平的其中之另一用以界定所述特定电压范围的下边界。

在本发明的一范例实施例中，所述的存储器控制方法还包括：根据所述第二读取电压电平更新所述特定电压范围的边界。