[发明专利]弹性电子装置及其制备方法在审
申请号: | 202010325241.9 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN113555306A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 袁泽;康佳昊;罗浩俊 | 申请(专利权)人: | 深圳市柔宇科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L27/32;H01L27/15 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 电子 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种弹性电子装置的制备方法,其特征在于,所述弹性电子装置的制备方法包括:
提供第一基底;
在所述第一基底上形成第一柔性层,所述第一柔性层包括器件区以及位于所述器件区之间的间隔区;
在所述第一柔性层远离所述第一基底的表面上形成多个间隔设置的电子元件,所述电子元件位于所述器件区内;
将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理,使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度;
在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层,所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件;
从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射,并将所述第一基底移除;
将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理,形成位于所述器件区的第一柔性层岛屿并暴露所述第一柔性层岛屿之间的第一弹性层表面;
在所述第一柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层。
2.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法,其特征在于,在所述“在所述第一柔性层远离所述第一基底的表面上形成多个间隔设置的电子元件,所述电子元件位于所述器件区内”和所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理,使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度”之间,所述弹性电子装置的制备方法还包括:
在所述电子元件远离所述第一基底的一侧形成多个第一保护层,每个所述第一保护层分别覆盖一个所述电子元件且位于所述器件区内;
所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理,使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度”和所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层,所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”之间,所述弹性电子装置的制备方法还包括:
将所述第一保护层移除。
3.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法,其特征在于,在所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层,所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”和所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射,并将所述第一基底移除”之间,所述弹性电子装置的制备方法还包括:
在所述第一弹性层远离所述第一基底的一侧形成第二保护层;
在所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射,并将所述第一基底移除”和所述“将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理,形成位于所述器件区的第一柔性层岛屿并暴露所述第一柔性层岛屿之间的第一弹性层表面”之间,所述弹性电子装置的制备方法还包括:
在将所述第二保护层远离所述第一弹性层的表面贴设第二基底以支撑所述第二保护层和所述第一弹性层;
在所述“在所述第一柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层”之后,所述弹性电子装置的制备方法还包括:
将所述第二保护层和所述第二基底移除。
4.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法,其特征在于,在所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层,所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”和所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射,并将所述第一基底移除”之间,所述弹性电子装置的制备方法还包括:
在所述第一弹性层远离所述第一基底的表面上形成第三保护层;
在所述“在所述第一柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层”之后,所述弹性电子装置的制备方法还包括:
将所述第三保护层移除。
5.如权利要求4所述的弹性电子装置的制备方法,其特征在于,所述第三保护层包括层叠设置的第三基底和牺牲层,所述牺牲层相较于所述第三基底邻近所述第一弹性层设置;所述“在所述第一弹性层远离所述第一基底的表面上形成第三保护层”包括:
将所述第一弹性层未完全固化之前,将所述第三保护层中的牺牲层贴设在所述第一弹性层远离所述第三基底的表面上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市柔宇科技有限公司,未经深圳市柔宇科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010325241.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高气密型旋转接头
- 下一篇:一种缩短龙须菜养殖周期的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造