[发明专利]半导体晶圆化学机械研磨和清洗方法及装置在审
| 申请号： | 202010325472.X | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111360686A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王雷;李振 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B37/04;B24B55/06 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 陈晓瑜 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 化学 机械 研磨 清洗 方法 装置 | ||
1.一种半导体晶圆化学机械研磨和清洗方法，其特征在于：包括：
提供待研磨晶圆并对所述待研磨晶圆进行化学机械平坦化研磨；
供给第一清洗液，并对经所述平坦化研磨后的所述晶圆进行再研磨；
将经过再研磨后的晶圆传送到清洗模块并进行研磨后清洗。
2.如权利要求1所述半导体晶圆化学机械研磨和清洗方法，其特征在于：所述再研磨以设定研磨时间到达作为停止条件。
3.如权利要求1所述半导体晶圆化学机械研磨和清洗方法，其特征在于：所述第一清洗液为酸性或碱性。
4.如权利要求1所述半导体晶圆化学机械研磨和清洗方法，其特征在于：清洗上述经过再研磨的晶圆的步骤包括：
将所述晶圆传送至清洗模块，所述清洗模块供给第二清洗液，并采用清洗刷对所述晶圆进行清洗。
5.如权利要求4所述半导体晶圆化学机械研磨和清洗方法，其特征在于：所述再研磨过程中供给的第一清洗液与所述清洗模块进行研磨后清洗使用的第二清洗液相同。
6.如权利要求1所述半导体晶圆化学机械研磨和清洗方法，其特征在于：所述再研磨与所述平坦化研磨使用的同一研磨平台。
7.一种半导体晶圆化学机械研磨和清洗装置，其特征在于：包括：
研磨台；
研磨液供应模块，用于向所述研磨台供应研磨液；
清洗液供应模块，用于向所述研磨台供应第一清洗液。
8.如权利要求7所述半导体晶圆化学机械研磨和清洗装置，其特征在于：还包括清洗台，所述清洗液供应模块还用于向所述清洗台供应第二清洗液。
9.如权利要求8所述半导体晶圆化学机械研磨和清洗装置，其特征在于：还包括清洗刷，所述清洗刷用于配合所述第二清洗液清洗所述晶圆。
10.如权利要求7所述半导体晶圆化学机械研磨和清洗装置，其特征在于：所述第一清洗液为酸性或碱性。
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