[发明专利]一种GaN基HEMT器件有效
| 申请号： | 202010325595.3 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111490101B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;王方洲;许晓锐;孙瑞泽;信亚杰;夏云;刘超;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 | ||
1.一种GaN基HEMT器件，其特征在于，包括P型掺杂的电荷存储层(1)、缓冲层(2)、衬底层(3)、成核层(4)、沟道层(5)、势垒层(6)、钝化层(7)、P型帽层(8)、二氧化硅层(9)、栅极(10)、源极(11)和漏极(12)；所述P型掺杂的电荷存储层(1)位于缓冲层(2)中；所述缓冲层(2)位于成核层(4)之上；所述成核层(4)位于衬底层(3)之上；所述沟道层(5)和势垒层(6)构成的横向异质结结构位于缓冲层(2)之上，在异质结界面处存在二维电子气；所述P型帽层(8)位于势垒层(6)一侧的上表面，栅极(10)位于P型帽层(8)上表面；所述栅极(10)与P型帽层(8)形成欧姆接触或肖特基接触；所述钝化层(7)位于势垒层(6)上表面并完全覆盖栅极(10)与P型帽层(8)；所述漏极(12)位于钝化层(7)远离P型帽层(8)一端的上表面，并沿垂直方向依次贯穿钝化层(7)、势垒层(6)后延伸入沟道层(5)中，从而与二维电子气沟道形成欧姆接触；所述源极(11)覆盖在钝化层(7)另一端上表面，并沿垂直方向依次贯穿钝化层(7)、势垒层(6)、沟道层(5)后延伸入P型掺杂的电荷存储层(1)中，与二维电子气沟道形成欧姆接触；源极(11)和漏极(12)之间具有二氧化硅层(9)；所述P型掺杂的电荷存储层(1)的长度等于缓冲层(2)的长度，所述P型掺杂的电荷存储层(1)与源极(11)之间形成的是欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的一种GaN基HEMT器件，其特征在于：所述P型掺杂的电荷存储层(1)采用的材料为GaN或AlGaN。
3.根据权利要求2所述的一种GaN基HEMT器件，其特征在于：所述P型掺杂的电荷存储层(1)的掺杂浓度范围为1×1016cm-3—1×1019cm-3。
4.根据权利要求3所述的一种GaN基HEMT器件，其特征在于：所述P型掺杂的电荷存储层(1)的厚度小于缓冲层(2)的厚度。
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