[发明专利]纳流体富集器件、其制作方法、富集方法及检测装置

权利要求书

1.一种纳流体富集器件，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的纳米通道层，以及位于所述纳米通道层背离所述衬底基板一侧的电极层；其中，

所述纳米通道层包括：相互独立的富集槽和基液槽，位于所述富集槽与所述基液槽之间的第一通道，所述第一通道的两端具有开口；

所述电极层，包括：第一电极、第二电极和第三电极；其中，所述第一电极与所述第二电极电连接；

所述第一电极在所述衬底基板上的正投影位于所述富集槽的正投影与所述基液槽的正投影之间；

所述第二电极在所述衬底基板上的正投影位于所述富集槽的正投影远离所述基液槽的正投影一侧；

所述第三电极在所述衬底基板上的正投影位于所述基液槽的正投影远离所述富集槽的正投影一侧；

所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极被配置为加载交流信号，以控制所述基液槽中不同荷质比的带电粒子分批在所述富集槽内富集。

2.如权利要求1所述的纳流体富集器件，其特征在于，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影临近所述富集槽一侧的边界与所述第一通道的正投影临近所述富集槽一侧的边界重合，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影临近所述基液槽一侧的边界位于所述第一通道的正投影临近所述基液槽一侧的边界所限定的区域内。

3.如权利要求1所述的纳流体富集器件，其特征在于，所述纳米通道层，还包括：位于所述富集槽远离所述基液槽一侧的第二通道，以及位于所述基液槽远离所述富集槽一侧的第三通道；其中，

所述第二通道临近所述富集槽的一端具有开口，远离所述富集槽的一端封闭，且所述第二通道在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极的正投影完全重合；

所述第三通道临近所述基液槽的一端具有开口，远离所述基液槽的一端封闭，且所述第三通道在所述衬底基板上的正投影与所述第三电极的正投影完全重合。

4.如权利要求1所述的纳流体富集器件，其特征在于，还包括：位于所述电极层背离所述纳米通道层一侧的支撑层；

所述支撑层包括第一通孔和第二通孔；

所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影覆盖所述富集槽，所述第一电极临近所述富集槽的边缘区域，以及所述第二电极临近所述富集槽的边缘区域；

所述第二通孔在所述衬底基板上的正投影覆盖所述基液槽，以及所述第三电极临近所述基液槽的边缘区域。

5.如权利要求4所述的纳流体富集器件，其特征在于，还包括：位于所述支撑层背离所述电极层一侧的硬掩膜层；

所述硬掩膜层，包括：与所述第一通孔完全重叠的第三通孔，以及与所述第二通孔完全重叠的第四通孔。

6.如权利要求5所述的纳流体富集器件，其特征在于，还包括：位于所述硬掩膜层背离所述支撑层一侧的保护盖板；

所述保护盖板具有与所述第三通孔导通的第五通孔，以及与所述第四通孔导通的第六通孔；

所述第五通孔在所述衬底基板上的正投影与所述第三通孔的正投影互不重叠；

所述第六通孔在所述衬底基板上的正投影与所述第四通孔的正投影互不重叠。

7.一种纳流体富集器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成纳米通道层和电极层；

所述纳米通道层，包括：相互独立的富集槽和基液槽，位于所述富集槽与所述基液槽之间的第一通道，所述第一通道的两端具有开口；

所述电极层，包括：第一电极、第二电极和第三电极；其中，所述第一电极与所述第二电极电连接；

所述第一电极在所述衬底基板上的正投影位于所述富集槽的正投影与所述基液槽的正投影之间；

所述第二电极在所述衬底基板上的正投影位于所述富集槽的正投影远离所述基液槽的正投影一侧；

所述第三电极在所述衬底基板上的正投影位于所述基液槽的正投影远离所述富集槽的正投影一侧；

所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极被配置为加载交流信号，以控制所述基液槽中不同荷质比的带电粒子分批在所述富集槽内富集。