[发明专利]一种OLED外部补偿电路和OLED外部补偿方法在审

专利信息
申请号: 202010325772.8 申请日: 2020-04-23
公开(公告)号: CN111524483A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 郑聪秀;刘汉龙;郭智宇;刘振东;钟慧萍 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208;G09G3/3225
代理公司: 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 代理人: 柯玉珊
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 oled 外部 补偿 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种OLED外部补偿电路,其特征在于,包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、电容C1和二极管D1,所述晶体管T1的栅极与晶体管T4的栅极电连接且晶体管T1的栅极和晶体管T4的栅极均与外设的扫描信号线电连接,所述晶体管T1的漏极分别与晶体管T2的栅极和电容C1的一端电连接,所述电容C1的另一端与晶体管T3的源极电连接且电容C1的另一端和晶体管T3的源极均接电源,所述晶体管T3的栅极与外设的使能信号电连接,所述晶体管T3的漏极与晶体管T2的漏极电连接,所述晶体管T2的源极分别与晶体管T4的源极和二极管D1的阳极电连接,所述晶体管T4的漏极与外设的监测信号电连接,所述二极管D1的阴极接地。

2.根据权利要求1所述的OLED外部补偿电路,其特征在于,所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3和晶体管T4均为薄膜晶体管,所述薄膜晶体管为N型半导体。

3.根据权利要求1所述的OLED外部补偿电路,其特征在于,所述二极管D12为有机发光二极管。

4.根据权利要求1所述的OLED外部补偿电路,其特征在于,所述晶体管T1的源极与外设的数据电压线电连接。

5.一种OLED外部补偿方法,其特征在于,应用于权利要求1-4任意一项所述的OLED外部补偿电路中,包括以下步骤:

步骤S1、采集晶体管T2的输出电流值;

步骤S2、判断所采集的所述输出电流值是否大于预设基准电流值;

步骤S3、若否,则控制所述OLED外部补偿电路进入脉冲宽度调制补偿阶段;若是,则控制所述OLED外部补偿电路进入直流补偿阶段。

6.根据权利要求5所述的OLED外部补偿方法,其特征在于,所述直流补偿阶段的补偿方法为:

在第一时间段,控制晶体管T1的栅极和晶体管T4的栅极输入高电平,控制晶体管T3的栅极输入低电平。

7.根据权利要求6所述的OLED外部补偿方法,其特征在于,所述脉冲宽度调制补偿阶段的补偿方法为:

在第二时间段,控制晶体管T1的栅极和晶体管T4的栅极均输入低电平,控制晶体管T3的栅极输入高电平;

在第三时间段,控制晶体管T1的栅极、晶体管T4的栅极和晶体管T3的栅极输入低电平;所述第一时间段、第二时间段和第三时间段为依次连续的时间段。

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