[发明专利]一种集成光学复合基板在审
| 申请号： | 202010325876.9 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111487791A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张秀全;朱厚彬;张涛;李真宇;刘桂银 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 光学 复合 | ||
1.一种集成光学复合基板，其特征在于，包括：单晶硅衬底、第一隔离层、第二隔离层、第三隔离层、有源层、光传输层和光调制层，其中，所述单晶硅衬底、第一隔离层、第二隔离层、第三隔离层和光调制层依次叠加；
所述有源层嵌入所述第二隔离层，所述光传输层嵌入所述第三隔离层；
所述第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层的折射率均小于所述光传输层和所述光调制层的折射率。
2.根据权利要求1所述的集成光学复合基板，其特征在于，所述有源层与所述光传输层在所述单晶硅衬底上正投影的几何中心重合。
3.根据权利要求1所述的集成光学复合基板，其特征在于，所述有源层和所述光传输层刻蚀为波导结构，所述波导结构包括：脊型波导、条形波导和弯曲波导。
4.根据权利要求3所述的集成光学复合基板，其特征在于，所述集成光学复合基板包括至少两个所述有源层和至少两个所述光传输层的波导结构。
5.根据权利要求1所述的集成光学复合基板，其特征在于，所述有源层的材料是InP、GaAs、GaInAsP、AlGaInAs、GaInSb和GaInAs中的一种；
所述第一隔离层、所述第二隔离层和所述第三隔离层的材料均是二氧化硅；
所述光传输层的材料是硅或氮化硅；
所述光调制层的材料是铌酸锂或钽酸锂。
6.根据权利要求1所述的集成光学复合基板，其特征在于，所述有源层与所述第三隔离层接触，所述光传输层与所述光调制层接触。
7.根据权利要求1所述的集成光学复合基板，其特征在于，所述有源层与所述第一隔离层接触，所述光传输层与所述第二隔离层接触。
8.根据权利要求6或7所述的集成光学复合基板，其特征在于，所述有源层与所述光传输层之间的耦合厚度为50-500nm。
9.根据权利要求6所述的集成光学复合基板，其特征在于，所述光传输层与所述光调制层之间的耦合厚度为50-200nm。
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