[发明专利]半导体器件及其铝膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010326225.1 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113549875B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 归剑;王海红 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/22;C23C14/54;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件中铝膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法应用在厚铝工艺流程中，所述铝膜包括铝铜合金膜；
所述制备方法包括：
提供一晶圆；
对所述晶圆进行预设时间段的预加热，以将所述晶圆的工艺温度达到预设温度；
其中，所述预设时间段的设定范围为20秒～30秒，所述预设温度的设定范围为253℃～263℃；
对预加热后的所述晶圆进行溅射工艺；以及，
在所述晶圆上进行淀积，以形成所述铝膜。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行预设时间段的预加热的步骤包括：
通过加热器对所述晶圆进行预设时间段的预加热。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述晶圆上进行淀积时，将所述晶圆的工艺温度控制在预设工艺温度范围内。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述预设工艺温度范围为245℃～280℃。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述晶圆上进行淀积的步骤包括：
在所述晶圆上进行铝铜淀积。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述晶圆上进行淀积的步骤包括：
采用PVD工艺在所述晶圆上进行淀积。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铝膜的厚度范围为
8.一种半导体器件，其特征在于，包括通过如权利要求1～7中任意一项所述的制备方法制备出的铝膜。
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