[发明专利]一种支持块擦除的数字冗余电路及其操作方法在审
申请号: | 202010326525.X | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111564174A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 刘芳芳;高璐 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 支持 擦除 数字 冗余 电路 及其 操作方法 | ||
1.一种支持块擦除的数字冗余电路,其特征在于,至少包括:
存储器、所述存储器中的多个块;所述每个块中包含多个行,所述多个行中包含一部分坏行;所述每个行对应一个该存储器工作时的当前地址;其中每个所述坏行还对应一个坏行地址和用于替换该坏行的冗余行;所述每个冗余行对应一个冗余地址;
所述每个坏行对应的所述坏行地址和其当前地址共同连接一个多路复用器的输入端;每个所述多路复用器的输出端连接一个空地址。
2.根据权利要求1所述的支持块擦除的数字冗余电路,其特征在于:所述存储器包含两个块。
3.根据权利要求1所述的支持块擦除的数字冗余电路,其特征在于:所述每个块中包含两个坏行。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的支持块擦除的数字冗余电路的操作方法,其特征在于,该操作方法为行操作,该方法至少包括以下步骤:
步骤一、对所述存储器选中其中一个所述行对应的当前地址;
步骤二、将所述当前地址与所述行为坏行时对应的坏行地址通过所述多路复用器进行比较;
步骤三、若所述坏行对应的坏行地址与其当前地址相同,由该坏行对应的冗余行的冗余地址替换所述坏行地址;若所述坏行对应的坏行地址与其当前地址不同,则该坏行对应的坏行地址有效。
5.根据权利要求4所述的支持块擦除的数字冗余电路的操作方法,其特征在于,步骤二中所述多路复用器的输出端连接的空地址等效于步骤三中的冗余地址。
6.根据权利要求1至3任意一项所述的支持块擦除的数字冗余电路的操作方法,其特征在于,该操作方法为块操作,该方法至少包括以下步骤:
步骤a、选中一个所述块中的其中一个所述当前地址,所述同一个块中的至少两个所述坏行各自对应的坏行地址被选中;
步骤b、被选中的所述坏行地址与所述当前地址通过所述多路复用器进行比较;
步骤c、被选中的所述坏行对应的坏行地址与其当前地址通过多路复用器输出端连接的空地址也被选中,同时被选中的所述坏行对应的坏行地址的冗余地址被选中;
步骤d、由被选中的所述坏行对应的冗余地址替换其对应的坏行地址。
7.根据权利要求5所述的支持块擦除的数字冗余电路,其特征在于:步骤a中被选中的所述块中包含两个当前地址。
8.根据权利要求6所述的支持块擦除的数字冗余电路,其特征在于:步骤a中所述同一个块中的两个所述坏行各自对应的坏行地址被选中。
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