[发明专利]对晶体管进行老化的方法以及包括该晶体管的显示设备

权利要求书

1.一种显示设备，包括：

多个像素；

其中，所述多个像素中的每一个像素包括：

第一晶体管，所述第一晶体管具有被连接至第一节点的栅电极、被连接至第二节点的第一电极和被连接至第三节点的第二电极；

第二晶体管，所述第二晶体管具有被连接至第一扫描线的栅电极、被连接至数据线的第一电极和被连接至所述第二节点的第二电极；以及

第三晶体管，所述第三晶体管具有被连接至所述第一扫描线的第一栅电极、第二栅电极、被连接至所述第一节点的第一电极和被连接至所述第三节点的第二电极。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二栅电极处于浮置状态。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三晶体管包括被布置在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的半导体层，并且

所述半导体层包括源区、沟道区和漏区。

4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第二栅电极被布置为与所述源区、所述沟道区和所述漏区中的至少一个的至少一部分重叠，

其中，所述第三晶体管进一步包括被布置在所述第一栅电极和所述半导体层之间的栅绝缘层，

其中，所述栅绝缘层具有与所述漏区邻近的第一区域和与所述源区邻近的第二区域，并且

其中，所述第一区域中的电子密度高于所述第二区域中的电子密度，或者所述第一区域中的空穴密度高于所述第二区域中的空穴密度。

5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第二栅电极被布置为与所述半导体层的除了所述半导体层的所述源区之外的一部分重叠。

6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第三晶体管进一步包括被布置在所述第一栅电极和所述半导体层之间的栅绝缘层，并且

其中，所述栅绝缘层具有与所述漏区邻近的第一区域和与所述源区邻近的第二区域，

其中，所述第一区域中的电子密度高于所述第二区域中的电子密度，或者所述第一区域中的空穴密度高于所述第二区域中的空穴密度。

7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三晶体管包括：

第一子晶体管，所述第一子晶体管具有被连接至所述第一扫描线的子栅电极、被连接至所述第一节点的第一电极、和第二电极；以及

第二子晶体管，所述第二子晶体管具有被连接至所述第一扫描线的子栅电极、被连接至所述第一子晶体管的所述第二电极的第一电极和被连接至所述第三节点的第二电极，

其中，所述第一子晶体管和所述第二子晶体管中的至少一个包括所述第二栅电极。

8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第一子晶体管包括被布置在所述第一子晶体管的所述子栅电极和所述第二栅电极之间的半导体层，

所述半导体层包括源区、沟道区和漏区，

所述第二栅电极被布置为与所述源区、所述沟道区和所述漏区中的至少一个的至少一部分重叠，并且

所述第一子晶体管进一步包括被布置在所述第一子晶体管的所述子栅电极和所述半导体层之间的栅绝缘层，

其中，所述栅绝缘层具有与所述漏区邻近的第一区域和与所述源区邻近的第二区域，并且

其中，所述第一区域中的电子密度高于所述第二区域中的电子密度，或者所述第一区域中的空穴密度高于所述第二区域中的空穴密度。

9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第一子晶体管包括被布置在所述第一子晶体管的所述子栅电极和所述第二栅电极之间的半导体层，

所述半导体层包括源区、沟道区和漏区，

其中，所述第二栅电极被布置为与所述半导体层的除了所述源区之外的至少一部分重叠。