[发明专利]一种透明光电器件的制备方法及透明光电器件在审
申请号: | 202010327092.X | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN113555451A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 何祝兵;朱煜东;应智琴;杜彦召 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;潘登 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 光电 器件 制备 方法 | ||
本发明公开了一种透明光电器件的制备方法和透明光电器件。该透明光电器件的制备方法包括:在透明衬底上形成第一透明电极层;在第一透明电极层背离透明衬底一侧形成光电功能层;在光电功能层背离第一透明电极层的一侧形成第二透明电极层。在本发明实施例中,通过在光电功能层两侧形成第一透明电极和第二透明电极,实现了透明度高的光电器件的制备。
技术领域
本发明涉及光电器件制备领域,尤其涉及一种透明光电器件的制备方法及透明光电器件。
背景技术
随着社会经济的发展,人类对光电器件的需求在不断增长,以太阳能电池为例,目前中国国内光伏产业的规模已超万亿,并且还在处于高速发展阶段。
然而在现有技术中,光电器件的不透明性,使得这类光电器件无法胜任如透明太阳能玻璃外墙等应用场景,这极大的限制了其应用。
发明内容
本发明实施例提供一种透明光电器件的制备方法及透明光电器件,以制备高透明度的光电器件。
本发明实施例提供了一种透明光电器件的制备方法,包括:
在透明衬底上形成第一透明电极层;
在所述第一透明电极层背离所述透明衬底一侧形成光电功能层;
在所述光电功能层背离所述第一透明电极层的一侧形成第二透明电极层。
可选的,所述第一透明电极层与所述第二透明电极层采用磁控溅射工艺制备。
可选的,透明电极层的材料包括氧化铟锡,所述氧化铟锌中的氧化铟与氧化锌的配比范围为50:50~99:1;或者
透明电极的材料包括氧化铟锌,所述氧化铟锡中的氧化铟与氧化锡的配比范围为50:50~99:1;
其中,所述透明电极为第一透明电极层和/或第二透明电极层。
可选的,所述磁控溅射的功率范围为50~300W。
可选的,所述磁控溅射的气压范围为0.34~0.8Pa。
可选的,所述磁控溅射的时间范围为2.5~6.0h。
本发明实施例还提供了一种透明光电器件,应用上述任一实施例所述的透明光电器件的制备方法制备。
可选的,所述透明光电器件包括光电池、发光二极管和光电探测器。
可选的,所述光电池还包括:
空穴传输层和电子传输层;
所述空穴传输层和所述电子传输层位于所述第一透明电极和所述第二透明电极之间,所述光电功能层层位于所述空穴传输层与所述电子传输层之间。
可选的,所述光电功能层的材料包括:
钙钛矿材料、有机物或无机物;
卤素材料,掺杂于所述光电功能层中。
本发明实施例中,通过在光电功能层两侧形成第一透明电极和第二透明电极,实现了透明度高的光电器件的制备。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种透明光电器件的制备方法的流程示意图;
图2为本发明实施例提供的一种透明光电器件的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的另一种透明光电器件的结构示意图。
具体实施方式
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