[发明专利]驱动电路及显示装置有效
申请号: | 202010327925.2 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111445830B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 高雅楠;彭邦银;金一坤 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 电路 显示装置 | ||
本申请提供一种驱动电路及显示装置,驱动电路包括:电路单元,电路单元包括一个薄膜晶体管,薄膜晶体管包括图案化构件;一电容器,电容器与电路单元中的薄膜晶体管的至少一端连接,电容器包括一个电极板;以及冗余图案化构件,冗余图案化构件、电极板以及图案化构件位于同一导电层,冗余图案化构件连接于图案化构件和电极板之间。通过在组成薄膜晶体管的图案化构件和电容器的电极板之间设置冗余图案化构件,以避免图案化导电层过程中薄膜晶体管的图案化构件出现蚀刻不均导致电路单元的薄膜晶体管的电性受影响的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种驱动电路及显示装置。
背景技术
如图1所示,其为传统栅极驱动电路(Gate On Array,GOA)的上拉单元T以及自举电容相连的平面示意图。上拉单元T包括多个阵列排布且串接的薄膜晶体管,每个薄膜晶体管包括栅极以及源漏极,自举电容包括第一电极和第二电极。多个阵列排布薄膜晶体管的栅极以及自举电容的第一电极位于整块的第一金属层M1上,多个阵列排布薄膜晶体管的源漏极(S,D)与自举电容的第二电极1是位于图案化第二金属M2上,由于第二电极1为整块的金属,导致靠近第二电极1且与第二电极1连接的薄膜晶体管的源漏极(S,D)会存在刻蚀不均的问题,影响上拉单元T的电性能。
因此,有必要提出一种技术方案以解决上拉单元T中与自举电容的第二电极1相连的薄膜晶体管的源漏极(S,D)蚀刻不均导致上拉单元T的电性能受影响的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种驱动电路及显示装置,以解决栅极驱动电路中上拉单元中与自举电容相连的薄膜晶体管的源漏极蚀刻不均导致上拉单元的电性能受影响的问题。
为实现上述目的,本申请提供一种驱动电路,所述驱动电路包括:
电路单元,所述电路单元包括一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括图案化构件;
一电容器,所述电容器与所述电路单元中的所述薄膜晶体管的至少一端连接,所述电容器包括一个电极板;以及
冗余图案化构件,所述冗余图案化构件、所述电极板以及所述图案化构件位于同一导电层,所述冗余图案化构件连接于所述图案化构件和所述电极板之间。
在上述驱动电路中,所述驱动电路包括虚拟薄膜晶体管,所述虚拟薄膜晶体管包括所述冗余图案化构件,所述图案化构件包括源极以及漏极,所述冗余图案化构件包括冗余源极以及冗余漏极,所述冗余源极的一端和所述冗余漏极的一端连接。
在上述驱动电路中,所述源极和所述冗余源极相同,所述漏极和所述冗余漏极相同。
在上述驱动电路中,所述驱动电路为栅极驱动电路,所述栅极驱动电路用于输出扫描信号。
在上述驱动电路中,所述电路单元为上拉单元,所述电容器的一端与所述薄膜晶体管的栅极连接,所述电容器的另一端与所述薄膜晶体管的源极或漏极连接。
一种显示装置,所述显示装置包括驱动电路,所述驱动电路包括:
电路单元,所述电路单元包括一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括图案化构件;
一电容器,所述电容器与所述电路单元中的所述薄膜晶体管的至少一端连接,所述电容器包括一个电极板;以及
冗余图案化构件,所述冗余图案化构件、所述电极板以及所述图案化构件位于同一导电层,所述冗余图案化构件连接于所述图案化构件和所述电极板之间。
在上述显示装置中,所述驱动电路包括虚拟薄膜晶体管,所述虚拟薄膜晶体管包括所述冗余图案化构件,所述图案化构件包括源极以及漏极,所述冗余图案化构件包括冗余源极以及冗余漏极,所述冗余源极的一端和所述冗余漏极的一端连接。
在上述显示装置中,所述源极和所述冗余源极相同,所述漏极和所述冗余漏极相同。
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