[发明专利]半导体沉积工艺补偿方法、补偿装置及半导体沉积设备

权利要求书

1.一种半导体沉积工艺补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在执行当前工艺步骤前，判断是否需要对所述当前工艺步骤的工艺参数值进行参数补偿，若是，则获取当前的靶材消耗值，并根据预置的多个靶材消耗值以及每个所述靶材消耗值对应的参数补偿值，计算出补偿后的工艺参数值；

其中，判断是否需要进行参数补偿包括以下步骤：

步骤11：判断当前腔室是否开启参数补偿，以及开启的参数补偿类型，若开启参数补偿，执行步骤12；

步骤12：确定所述当前工艺步骤是否开启参数补偿，以及开启的参数补偿类型，若存在所述当前腔室及所述当前工艺步骤均开启的参数补偿类型，则判定需要进行参数补偿；

步骤2：根据所述补偿后的工艺参数值，执行所述当前工艺步骤；

其中，所述参数补偿值包括以下至少之一：沉积时间补偿值、靶基距离补偿值、溅射功率补偿值。

2.根据权利要求1所述的半导体沉积工艺补偿方法，其特征在于，所述当前腔室对应有多个第一标记，每个所述第一标记用于标记一种所述参数补偿类型是否开启；

所述步骤11中，所述判断当前腔室是否开启参数补偿，以及开启的参数补偿类型包括：

逐一读取所述当前腔室对应的多个所述第一标记是否开启，若存在开启的所述第一标记，则判定所述当前腔室开启了参数补偿，开启的所述第一标记对应的参数补偿类型即为所述当前腔室开启的参数补偿类型。

3.根据权利要求2所述的半导体沉积工艺补偿方法，其特征在于，所述当前工艺步骤对应有多个第二标记，每个所述第二标记用于标记一种所述参数补偿类型是否开启；

在所述步骤12中，所述确定所述当前工艺步骤是否开启参数补偿，以及开启的参数补偿类型包括：

逐一读取当前工艺步骤对应的多个所述第二标记是否开启，若存在开启的所述第二标记，则判定所述当前工艺步骤开启了参数补偿，开启的所述第二标记对应的参数补偿类型即为所述当前工艺步骤开启的参数补偿类型。

4.根据权利要求1所述的半导体沉积工艺补偿方法，其特征在于，所述预置的多个靶材消耗值以及每个所述靶材消耗值对应的参数补偿值保存在预置的参数补偿表中。

5.根据权利要求1所述的半导体沉积工艺补偿方法，其特征在于，所述根据预置的多个靶材消耗值以及每个所述靶材消耗值对应的参数补偿值，计算出补偿后的工艺参数值，包括：

所述多个靶材消耗值定义了多个分段区间，确定所述当前靶材消耗值所属的分段区间；

根据所述当前靶材消耗，基于该分段区间对应的参数补偿函数，计算出补偿后的工艺参数值。