[发明专利]一种直流耦合差分前端放大器电路在审

专利信息
申请号: 202010329210.0 申请日: 2020-04-23
公开(公告)号: CN111585531A 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 张骏哲;许小印 申请(专利权)人: 深圳芯森微电子有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 林俭良
地址: 518122 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 直流 耦合 前端 放大器 电路
【权利要求书】:

1.一种直流耦合差分前端放大器电路,其特征在于,包括:六输入差分放大器电路(10)、第一直流失调抑制电路(20)、第二直流失调抑制电路(30)、闭环增益电路(40),其中,

所述第一直流失调抑制电路(20)连接在所述六输入差分放大器电路(10)的第一正输入端Vpp与第一负输入端Vpn之间,所述第一直流失调抑制电路(20)与所述六输入差分放大器电路(10)的第一正输入端Vpp的连接点为所述直流耦合差分前端放大器电路的外部信号正差分输入端Vip;所述第二直流失调抑制电路(30)连接在所述六输入差分放大器电路(10)的第二正输入端Vnp与第二负输入端Vnn之间,所述第二直流失调抑制电路(30)与所述六输入差分放大器电路(10)的第二正输入端Vnp的连接点为所述直流耦合差分前端放大器电路的外部信号负差分输入端Vin;所述六输入差分放大器电路(10)的正辅助输入端Vpx和所述闭环增益电路(40)均输入共模电压Vcm,所述六输入差分放大器电路(10)的负辅助输入端Vnx经所述闭环增益电路(40)与所述六输入差分放大器电路(10)的输出端Vout连接;

所述第一直流失调抑制电路(20)和第二直流失调抑制电路(30)用于抑制直流失调电压;所述闭环增益电路(40)作为负反馈环路为所述直流耦合差分前端放大器电路提供闭环增益。

2.根据权利要求1所述的直流耦合差分前端放大器电路,其特征在于,所述六输入差分放大器电路(10)包括:偏置电路、多输入级电路、增益级电路、输出级电路;其中,

所述偏置电路包括PMOS管Mp1、Mp2以及偏置电流源Ib;所述PMOS管Mp1的源极与电源正端Vdd连接,所述PMOS管Mp1的漏极与所述PMOS管Mp2的源极连接,所述PMOS管Mp2的源极经所述偏置电流源Ib与电源负端Vss连接;所述PMOS管Mp1的栅极与漏极短接,所述PMOS管Mp2的栅极与漏极短接;

所述多输入级电路包括PMOS管Mp3、Mp4、Mp5、Mp6、Mp7、Mp8、Mp15、Mp16、Mp17以及NMOS管Mn1、Mn3;所述PMOS管Mp3、Mp6、Mp15的源极均与所述电源正端Vdd连接,所述PMOS管Mp3、Mp6、Mp15三者的栅极短接并连接至所述PMOS管Mp1的栅极;所述PMOS管Mp7和Mp8的栅极分别作为所述六输入差分放大器电路(10)的第一正输入端Vpp和第一负输入端Vpn,所述PMOS管Mp7和Mp8的源极相连并连接至所述PMOS管Mp6的漏极,所述PMOS管Mp7的漏极与所述NMOS管Mn3的漏极连接,所述PMOS管Mp8的漏极与所述NMOS管Mn1的漏极连接;所述PMOS管Mp4和Mp5的栅极分别作为所述六输入差分放大器电路(10)的第二负输入端Vnn和第二正输入端Vnp,所述PMOS管Mp4和Mp5的源极相连并连接至所述PMOS管Mp3的漏极,所述PMOS管Mp4的漏极与所述NMOS管Mn3的漏极连接,所述PMOS管Mp5的漏极与所述NMOS管Mn1的漏极连接;所述PMOS管Mp16和Mp17的栅极分别作为所述六输入差分放大器电路(10)的负辅助输入端Vnx和正辅助输入端Vpx,所述PMOS管Mp16和Mp17的源极相连并连接至所述PMOS管Mp15的漏极,所述PMOS管Mp16的漏极与所述NMOS管Mn1的漏极连接,所述PMOS管Mp17的漏极与所述NMOS管Mn3的漏极连接;所述NMOS管Mn1栅极与漏极短接,所述NMOS管Mn3栅极与漏极短接,所述NMOS管Mn1和Mn3的源极均连接至电源负端Vss;

所述增益级电路包括PMOS管Mp9、Mp10、Mp11、Mp12、Mp13以及NMOS管Mn2、Mn4、Mn5、Mn6;所述PMOS管Mp9和Mp10构成有源电流镜作为负载,所述PMOS管Mp10的栅极与漏极短接后与所述PMOS管Mp9的栅极连接,所述PMOS管Mp9的漏极与所述NMOS管Mn4的漏极连接,所述PMOS管Mp10的漏极与所述NMOS管Mn2的漏极连接;所述NMOS管Mn2与所述多输入级电路中的NMOS管Mn1形成电流镜电路,所述NMOS管Mn2的栅极与所述NMOS管Mn1的栅极相连,所述NMOS管Mn2的源极连接至电源负端Vss;所述NMOS管Mn4与所述多输入级电路中的NMOS管Mn3形成电流镜电路,所述NMOS管Mn4的栅极与所述NMOS管Mn3的栅极相连,所述NMOS管Mn4的源极连接至电源负端Vss;所述PMOS管Mp11、Mp12、Mp13与所述NMOS管Mn5、Mn6形成一个一阶放大器结构,所述PMOS管Mp11的栅极与所述偏置电路中的PMOS管Mp1的栅极相连形成电流源,所述PMOS管Mp12、Mp13的栅极分别连接所述PMOS管Mp9、Mp10的漏极,所述PMOS管Mp12和Mp13的源极相连并连接至所述PMOS管Mp11的漏极,所述PMOS管Mp12、Mp13的漏极分别与所述NMOS管Mn5、Mn6的漏极连接;所述NMOS管Mn5和Mn6构成有源电流镜作为负载,所述NMOS管Mn5的栅极与漏极短接后与所述NMOS管Mn6的栅极连接,所述NMOS管Mn5、Mn6的源极均连接至电源负端Vss;

所述输出级电路包括PMOS管Mp14和NMOS管Mn7;所述PMOS管Mp14的栅极与所述偏置电路中的PMOS管Mp1的栅极连接构成镜像电流源,所述PMOS管Mp14的源极与电源正端Vdd连接,所述PMOS管Mp14的漏极与所述NMOS管Mn7的漏极连接;所述NMOS管Mn7的栅极与所述NMOS管Mn6的漏极连接,所述NMOS管Mn7的源极连接至电源负端Vss;所述PMOS管Mp14的漏极与所述NMOS管Mn7的漏极连接点作为所述六输入差分放大器电路(10)的输出端Vout。

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