[发明专利]一种红外焦平面探测器的铟柱及其制备方法

权利要求书

1.一种红外焦平面探测器的铟柱的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)芯片(1)涂胶：将芯片(1)表面清洗干净并去除残留的水分，而后在芯片(1)表面旋涂一层光刻胶(4)；

2)掩膜刻蚀：依据铟柱(2)的间距尺寸参数在掩膜板上间隔开圆形光刻孔，而后将掩膜板掩盖在步骤1)涂胶后的芯片(1)上，进行第一次光刻曝光，然后显影、定影；

3)镀打底金属(3)：采用真空镀膜的方式在步骤2)处理后的芯片(1)表面镀打底金属(3)，而后清洗掉光刻胶(4)，剥离多余金属；

4)再次涂胶：在经步骤3)处理过的芯片(1)表面再次旋涂一层光刻胶(4)；

5)再次掩膜刻蚀：依据铟柱(2)的间距尺寸参数在掩膜板上间隔开方形光刻孔，而后将掩膜板掩盖在步骤4)涂胶后的芯片(1)上，进行第二次光刻曝光，然后显影、定影；

6)镀铟柱(2)：采用真空镀膜的方式在经步骤5)处理过的芯片(1)表面镀铟膜，而后清洗掉光刻胶(4)，剥离多余铟，得到带有铟柱(2)的芯片(1)；

7)回流缩球：将步骤6)得到的带有铟柱(2)的芯片(1)在真空回流炉中回流缩球，使铟柱(2)由方形变为椭球形，制得铟柱(2)成品。

2.根据权利要求1所述的一种红外焦平面探测器的铟柱的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述芯片(1)的清洗依次采用丙酮和异丙醇分别超声清洗芯片3分钟，再用去离子水冲洗干净。

3.根据权利要求1所述的一种红外焦平面探测器的铟柱的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述芯片(1)表面旋涂AZ5214型的光刻胶(4)，采用匀胶机旋涂，转数选4000转/分，旋涂时间为30秒，涂胶后放置还需在95℃温度条件下加热90秒；所述步骤4)中，所述芯片(1)表面旋涂AZ4620型的光刻胶(4)，采用匀胶机旋涂，转数选1000转/分，旋涂时间为40秒，涂胶后放置还需在100℃温度条件下加热180秒。

4.根据权利要求1所述的一种红外焦平面探测器的铟柱的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，圆形光刻孔直径5μm；所述步骤5)中，方形光刻孔尺寸为10μm×10μm。

5.根据权利要求3所述的一种红外焦平面探测器的铟柱的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，曝光剂量控制在58.2～60.5毫焦每平方厘米，曝光后的芯片(1)放入浓度2.38％四甲基氢氧化铵显影液中显影45～55秒，然后纯水定影30～40秒；所述步骤5)中，曝光剂量控制在396.9～405.7焦每平方厘米，曝光后的芯片(1)放入浓度2.38％四甲基氢氧化铵显影液中显影100～120秒，然后纯水定影30～40秒。

6.根据权利要求1所述的一种红外焦平面探测器的铟柱的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中，采用电子束蒸发设备，用真空沉积的方式镀打底金属(3)，沉积速率控制在0.2纳米每秒，工作真空度控制在5×10^-6帕斯卡，所述步骤3)中，所述打底金属(3)包括依次沉积的50nm金属钛黏附层、30nm金属铂阻挡层和80nm金属金浸润层。

7.根据权利要求1所述的一种红外焦平面探测器的铟柱的制备方法，其特征在于：所述步骤4)中，光刻胶(4)的清洗需先在丙酮中浸泡30～60分钟，再用异丙醇清洗；所述步骤6)中，光刻胶(4)的清洗需先在丙酮中浸泡90～120分钟，再用异丙醇清洗。

8.根据权利要求1所述的一种红外焦平面探测器的铟柱的制备方法，其特征在于：所述步骤6)中，镀铟膜采用真空热蒸发的方法沉积铟，沉积厚度为6μm。

9.根据权利要求1所述的一种红外焦平面探测器的铟柱的制备方法，其特征在于：所述步骤7)中，回流缩球需将步骤6)得到的带有铟柱(2)的芯片(1)在真空回流炉中先加热到80℃，而后在通入甲酸的条件下持续加热至200℃，之后终止通入甲酸并降温至室温。

10.一种权利要求1～9的制备方法所制备的铟柱(2)。