[发明专利]半导体存储器高低温老化测试设备有效

专利信息
申请号: 202010329467.6 申请日: 2020-04-23
公开(公告)号: CN111551839B 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 陈凯;彭骞 申请(专利权)人: 武汉精测电子集团股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/04;G01R1/02
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 黄行军
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 低温 老化 测试 设备
【说明书】:

发明公开了一种半导体存储器高低温老化测试设备,包括第一温度区、第二温度区以及设置在第一温度区和第二温度区之间的隔离区;第一温度区内设置有用于进行半导体存储器高低温老化测试的老化测试板卡,隔离区内放置有直通板,第二温度区设置有站点板,老化测试板卡、直通板、站点板依次电连接;隔离区靠近第一温度区一侧设有第一刚性支撑板,靠近第二温度区一侧设有第二刚性支撑板,第一刚性支撑板与第二刚性支撑板之间设有包裹在直通板外的隔热填料层。本发明的半导体存储器高低温老化测试设备中,刚性支撑板可激光切割成形,刚性支撑板之间存在隔热填料层,从而在保证隔热效果的同时,还具有易于加工的特点,能显著降低整体加工成本。

技术领域

本发明涉及半导体老化测试技术领域,具体涉及一种半导体存储器高低温老化测试设备。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展,高速、高容量的存储器层出不穷,对半导体存储器老化测试设备的需求也日益增加。为满足半导体存储器的老化测试需求,半导体存储器老化测试设备中BIB rack(Burn-in Board rack,老化测试板卡支撑架)的环境温度会在-40℃到+150℃的范围内进行高低温转换。高温状态时,需设置隔离区避免热量从BIB rack传递到临近的FT rack(Feed Thru Board rack,直通板支撑架);低温状态时,需避免隔离区的热空气与BIB rack接触后产生凝露现象。

如图1中所示,现有的半导体存储器高低温老化测试设备方案中,为了解决高低温转换时出现的上述问题,隔离区70采用整块的EPOXY环氧树脂隔热板材作为隔离区70的隔热层,高温状态时环氧树脂隔热板材可避免热量从老化测试板卡支撑架80传递到临近的直通板支撑架90。然而,采用整块环氧树脂隔热板材(整体厚度超过50mm)本身的材料成本和加工成本偏高。

此外,现有的半导体存储器高低温老化测试设备方案中,在直通板支撑架90与老化测试板卡支撑架80之间的隔离区70内的直通板腔体内直通板60(Feed Thru Board,)的插拔区域增加一个加热器50的方式:低温状态时,在隔离区70内的直通板腔体中直通板60的插拔区域增加的加热器50,可提升该区域整体温度来防止凝露,但缺点是成本较高,且需额外增加加热设备。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种半导体存储器高低温老化测试设备,能够保证隔离区的隔热效果的同时降低成本。

为实现上述目的,本发明所设计的半导体存储器高低温老化测试设备包括第一温度区、第二温度区以及设置在所述第一温度区和所述第二温度区之间的隔离区;所述第一温度区内设置有用于进行半导体存储器高低温老化测试的老化测试板卡,所述隔离区内放置有直通板,所述第二温度区设置有站点板,所述老化测试板卡、所述直通板、所述站点板依次电连接;所述隔离区靠近所述第一温度区一侧设有第一刚性支撑板,靠近所述第二温度区一侧设有第二刚性支撑板,所述第一刚性支撑板与所述第二刚性支撑板之间设有隔热填料层;在所述隔离区,所述直通板包裹在所述隔热填料层中。

可选的,还包括向所述第一温度区通气对所述老化测试板卡进行降温的散热气路,所述散热气路具有第一分支气路,所述第一分支气路用于向所述直通板通气。

可选的,还包括直通框,所述直通板设置于所述直通框中,所述直通框包裹在所述隔热填料层中。

可选的,所述直通框包括两块垂直于Z方向且相对设置的底板及两块垂直于X方向且相对设置的侧板,所述直通框垂直于Y方向的两侧面分别固定至所述第一刚性支撑板与所述第二刚性支撑板。

可选的,还包括向所述第一温度区通气对老化测试板卡进行降温的散热气路,所述散热气路具有第二分支气路,所述直通框的两个所述侧板上各设置有至少一个进气口,所述第二分支气路连接至所述进气口。

可选的,所述底板与所述侧板上分别开设有多个通孔。

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