[发明专利]一种低反射色中性低应力树脂镜片及其制备方法

权利要求书

1.一种低反射色中性低应力的树脂镜片，其特征在于，包括：树脂镜片基片、加硬层以及减反射层；其中，所述树脂镜片基片、加硬层以及减反射层依次排列，所述加硬层位于所述树脂镜片基片表面，所述减反射层位于所述加硬层表面；其中，所述减反射层包括低应力SiO₂层、铌钛复合氧化物层以及氧化铟锡透明导电层；优选的，所述铌钛复合氧化物由Nb₂O₅和TiO₂组成，其中Nb₂O₅的摩尔分数为75％～95％。

2.根据权利要求1所述的低反射色中性低应力的树脂镜片，其特征在于，所述低反射色中性低应力的树脂镜片还包括防水层，所述防水层位于所述减反射层表面。

3.根据权利要求1所述的低反射色中性低应力的树脂镜片，其特征在于，所述加硬层材料为有机硅；优选的，所述有机硅中至少含有Ti元素。

4.根据权利要求1所述的低反射色中性低应力的树脂镜片，其特征在于，所述低应力SiO₂层是通过在无离子源辅助工艺、且O₂流速为10～20sccm的条件下，采用真空镀膜工艺，将固态SiO₂材料蒸发后经过气相传输，沉积成薄膜而获得的。

5.根据权利要求1所述的低反射色中性低应力的树脂镜片，其特征在于，所述加硬层的厚度为1～5μm。

6.根据权利要求1所述的低反射色中性低应力的树脂镜片，其特征在于，所述减反射层的总厚度为180～400nm。

7.根据权利要求1所述的低反射色中性低应力的树脂镜片，其特征在于，所述防水层的厚度为4～20nm。

8.根据权利要求1～8任一项所述的低反射色中性低应力的树脂镜片，其特征在于，所述低反射色中性低应力树脂镜片的平均反射率≤0.4％。

9.权利要求1～8任一项所述的低反射色中性低应力树脂镜片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1制备加硬层：在树脂镜片基片表面形成加硬层，即获得含加硬层的树脂镜片；

S2制备减反射层：在S1获得的树脂镜片表面形成所述减反射层，即获得含减反射层的树脂镜片，具体包括：

S21：在步骤S1获得的树脂镜片表面交替分别形成三层低应力SiO₂层和三层铌钛复合氧化物层，即获得包括三层低应力SiO₂层和三层铌钛复合氧化物层的树脂镜片；

S22：在步骤S21获得的树脂镜片表面形成含ITO层的树脂镜片；

S23：在步骤S22获得的树脂镜片表面形成含低应力SiO₂层的树脂镜片；

S3制备防水层：在步骤S2获得的树脂镜片表面形成防水层。

10.根据权利要求9所述的低反射色中性低应力树脂镜片的制备方法，其特征在于，所述步骤S2制备减反射层：在真空镀膜机内、采用真空镀膜工艺，将固态膜层材料蒸发后经过气相传输，在S1步骤获得的树脂镜片表面沉积成薄膜，形成减反射层，具体包括以下步骤：

S21：在步骤S1获得的树脂镜片表面交替分别形成三层低应力SiO₂层和三层铌钛复合氧化物层，即获得包括三层低应力SiO₂层和三层铌钛复合氧化物层的树脂镜片，具体包括：

S211：在S1获得的树脂镜片表面，在本底真空度≤3×10^-3Pa、且镀膜舱内温度为50～70℃、无离子源辅助工艺、充入流速为10～20sccm的O₂的条件下，采用高能电子束加热SiO₂，以速率为将蒸发后的SiO₂以纳米级分子形式沉积，获得含第一层低应力SiO₂层的树脂镜片；

S212：在S21获得的树脂镜片表面，在本底真空度≤3×10^-3Pa、且镀膜舱内的温度为50～70℃、有离子源辅助工艺的条件下，采用高能电子束加热铌钛复合氧化物，以速率为将蒸发后的铌钛复合氧化物以纳米级分子形式沉积，获得含第二层铌钛复合氧化物层的树脂镜片；

S213：重复S211和S212步骤，分别交替形成第三层低应力SiO₂层和第四层铌钛复合氧化物层以及第五层低应力SiO₂层和第六层铌钛复合氧化物层，即形成包括第三层低应力SiO₂层、第四层铌钛复合氧化物层、第五层低应力SiO₂层以及第六层铌钛复合氧化物层的树脂镜片；

S22：在S213获得的树脂镜片表面，在本底真空度≤3×10^-3Pa、且镀膜舱内的温度为50～70℃、并有离子源辅助工艺的条件下，采用高能电子束加热ITO，以速率为将蒸发后的ITO以纳米级分子形式沉积，获得含ITO层的树脂镜片；

S23：在S27获得的树脂镜片表面，继续采用真空镀膜工艺，重复S211的工艺步骤，形成含低应力SiO₂层的树脂镜片；

S3：在S28获得的树脂镜片表面形成防水层：在S27步骤获得的镜片表面，继续采用真空镀膜工艺，在本底真空度≤3×10^-3Pa、且镀膜舱内的温度为50～70℃条件下,采用高能电子束加热材料，以速率为将蒸发后的含氟防水材料以纳米级分子形式沉积于S24获得的树脂镜片表面，即得。