[发明专利]一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法

权利要求书

1.一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)、在电池片上直径不同的圆形点状电极周围进行开槽处理，形成内径不同的圆形凹槽结构；其中，所述圆形凹槽结构纵向延伸至硅衬底的内部；

(2)、测试所述内径不同的圆形凹槽结构对应的内径；

(3)、测试直径不同的圆形点状电极与背面金属电极之间对应的总电阻值；

(4)、采集不同的圆形凹槽结构对应的内径数据、以及直径不同的圆形点状电极与背面金属电极之间对应的总电阻值数据，绘制散点图，并运用两端接触的电流传输模型对散点进行拟合，计算接触电阻率。

2.根据权利要求1所述的测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述测试直径不同的圆形点状电极与背面金属电极之间对应的总电阻值包括：

(3.1)、将数字源表的探针一端固定接触背面金属电极，另一端接触正面圆形点状电极，并设置数字源表输出恒定电流I，测试两端的电压U；通过恒定电流I，电压U，计算圆形点状电极与背面金属电极之间的总电阻值为：RT为U/I；

(3.2)将数字源表的探针一端移动到不同直径的正面金属电极上，采用步骤(3.1)中的方法得到其对应的总电阻值。

3.根据权利要求1所述的测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述两端接触的电流传输模型的计算公式为：

其中，R_T为圆形点状电极与背面金属电极之间的总电阻值，d为圆形凹槽结构的内径，t为硅片的厚度，ρ_base为硅衬底的电阻率，ρ_c为钝化接触结构接触电阻率，R₀为背面重掺杂层与金属的接触电阻；其中，ρ_base、t和R₀均已知量，ρ_c为待求量；

若将两端接触的电流传输模型看作一个与函数，a₀、b₀和c₀均表示已知的参数，A表示为未知的参数，则公式(1)转变为：

其中，b₀＝4t，c₀＝R₀，

未知的参数A包含ρ_c，通过拟合求解出参数A的值，即可根据下述计算公式求出待求量ρ_c：

4.根据权利要求1-3任一项所述的测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述圆形点状电极的直径为60-1000μm，高度为10-30μm，圆形点状电极的数量为6～18个。

5.根据权利要求4所述的测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，其特征在于，所述圆形点状电极的直径按等差数列的形式递增。

6.根据权利要求1-3任一项所述的测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述圆形凹槽结构的内径为40～120μm，其与内侧圆形点状电极的距离为20～80μm；所述圆形凹槽结构的圆心与所述圆形点状电极的圆心重合。

7.根据权利要求1-3任一项所述的测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，其特征在于，在步骤(1)之前，所述方法还包括：

(1)’、先在单晶硅衬底的前表面制备钝化接触结构，接着在硅衬底的背表面制备第一重掺杂层，然后在所述钝化接触结构上沉积覆盖层；最后在所述覆盖层上印刷直径不同的圆形点状电极，在所述第一重掺杂层上整面印刷金属电极。

8.根据权利要求7所述的测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，其特征在于，在步骤(1)’中，所述第一重掺杂层的方阻为20～50Ω/sq，掺杂的方式为高温扩散或者离子注入法，其导电类型与单晶硅衬底相同。