[发明专利]具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法

权利要求书

1.一种具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法，其特征在于，通过改变所述鳍式场效应晶体管的半导体鳍结构的沟道宽度，调节优化所述鳍式场效应晶体管的开启电压。

2.根据权利要求1所述的具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法，其特征在于，鳍式场效应晶体管的多晶硅栅极三面覆盖包围半导体鳍结构，介质层的表面高于多晶硅栅极的底部，沿着源极、漏极之间电流方向为沟道长度，垂直该电流方向为沟道宽度。

3.根据权利要求2所述的具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法，其特征在于，采用增加所述鳍式场效应晶体管的半导体鳍结构的沟道宽度的方式，解决所述鳍式场效应晶体管的源极、漏极穿通问题。

4.根据权利要求2所述的具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管的源极、漏极可预先进行掺杂，实现埋沟沟道功能。

5.根据权利要求1所述的具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管可实现功能管、逻辑管的工艺兼容性、简化工艺步骤。

6.根据权利要求1所述的具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管的半导体鳍结构的沟道宽度大于等于沟道材料的德拜长度的2倍。

7.根据权利要求6所述的具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管的半导体鳍结构的沟道宽度大于等于0.1μm。

8.根据权利要求1所述的具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管应用于图像传感器。

9.根据权利要求1所述的具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管为具有N型多晶硅栅极的PMOS晶体管。