[发明专利]降低横向漏流的有机发光显示装置在审
申请号: | 202010331155.9 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111430438A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 曾章和 | 申请(专利权)人: | 合肥视涯技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 冯伟 |
地址: | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 降低 横向 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括:
基板、设置于所述基板上间隔排列的多个像素单元;
每个所述像素单元包括依次位于所述基板上的阳极、有机膜、阴极层;
还包括设置在所述像素单元的间隔处的像素定义层,设置于所述像素定义层朝向所述阴极层一侧的绝缘凸起,设置于所述绝缘凸起朝向所述阴极层一侧的导电层;
所述有机膜包括一第一有机膜层,所述第一有机膜层为所述有机膜中和所述导电层相邻设置的膜层。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述第一有机膜层设置于所述导电层的下方或者和所述导电层同层设置,所述第一有机膜层及所述第一有机膜层下层的各有机膜层的厚度和小于等于所述绝缘凸起和所述导电层的厚度和。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述第一有机膜层设置于所述导电层的上方,所述第一有机膜层及所述第一有机膜层下层的各有机膜层的厚度和大于所述绝缘凸起和所述导电层的厚度和。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述第一有机膜层的载流子迁移率大于有机膜中其他有机膜层的载流子迁移率。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述有机膜包括多个串联的有机发光器件。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述有机膜包括串联的第一有机发光器件和第二有机发光器件,以及设置于所述第一有机发光器件和所述第二有机发光器件之间的电荷生成层。
7.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述第一有机膜层为所述电荷生成层。
8.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述第一有机发光器件包括依次设置于所述阳极之上的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、第一有机发光层、第一空穴阻挡层。
9.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述第二有机发光器件包括依次设置于所述电荷生成层之上的第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二电子阻挡层、第二有机发光层、第二空穴阻挡层、电子传输层。
10.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述绝缘凸起和所述导电层的厚度和小于等于所述第一有机发光器件和所述电荷生成层的厚度和。
11.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述电荷生成层包括N型电荷生成层和P型电荷生成层,所述N型电荷生成层靠近所述第一有机发光器件一侧设置,所述P型电荷生成层靠近所述第二有机发光器件一侧设置。
12.如权利要求11所述的有机发光显示装置,其特征在于,其中,所述N型电荷生成层邻近所述导电层设置;或者,所述P型电荷生成层邻近所述导电层设置。
13.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述绝缘凸起和所述导电层的形状为柱形。
14.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述绝缘凸起和所述导电层至少包括位于靠近所述阴极层的第一部分和靠近所述像素定义层的第二部分,所述第二部分在所述基板上的投影至少部分地落入所述第一部分在所述基板上的投影范围内。
15.如权利要求14所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述第一部分为所述导电层,所述第二部分为所述绝缘凸起;或者,所述第一部分包括所述导电层和靠近所述导电层的部分绝缘凸起,所述第二部分包括靠近所述像素定义层的部分绝缘凸起;或者,所述第一部分包括靠近所述导电层的部分绝缘凸起,所述第二部分包括靠近所述像素定义层的部分绝缘凸起。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的