[发明专利]一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、制作电池，将硅片清洗、激光掺杂、沉积钝化层、激光开槽、丝网印刷电极后烧结成电池；

B、采用抗衰减处理，使步骤A得到的电池的硅片中的杂质和晶界缺陷得到钝化，复合减少。

2.根据权利要求1所述的一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述的抗衰减处理是将步骤A的电池放入到光恢复炉中，电池的正面或背面朝上，用卤素灯加热电池的正面或背面进行高温退火。

3.根据权利要求2所述的一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，卤素灯加热温度为100-500℃，光强1Sun，加热时间为1-10000s。

4.根据权利要求1所述的一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述的抗衰减处理是将步骤A的电池放入到电退火炉中，进行高温加热。

5.根据权利要求4所述的一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，电退火炉电流为1-20A，加热温度为50-500℃，加热时间为1-10000s。

6.根据权利要求2所述的一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤A中，硅片清洗及激光掺杂选择性发射级后，沉积钝化层是在硅片的背面表面用酸溶液和/或碱溶液进行抛光，之后在硅片的正、背面沉积一层1-200nm的氧化硅层。

7.根据权利要求6所述的一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，沉积钝化层还包括在氧化硅层上沉积一层或多层氧化铝膜或氮化硅膜层。

8.根据权利要求7所述的一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，沉积方法为等离子体增强化学气相沉积、常压化学气相沉积或原子层沉积。

9.根据权利要求7所述的一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，沉积钝化层厚度为1-200nm。