[发明专利]一种宽光学透过域的高镁含量MgAlON透明陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 202010331700.4 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111704445B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 王皓;陈亮;宗潇;涂兵田 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C04B35/115 | 分类号: | C04B35/115;C04B35/117;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64;C04B35/645 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 乔宇 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 透过 含量 mgalon 透明 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.MgAlON透明陶瓷的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
1)MgAlON透明陶瓷粉体的制备:以Al(8+a)/3O4-aNa,0.25≤a≤0.4、Mg1-bAl2(1+b/3)O4,0≤b≤0.2和MgO粉末为原料按摩尔百分比为:Al(8+a)/3O4-aNa粉末6.25~41.46mol%、Mg1-bAl2(1+b/3)O4粉末29.27~93.75mol%、MgO粉末0~29.27mol%进行称量混合,且各组分百分含量之和为100%,并采用场致快速法合成MgxAl(64-2x+y)/3□(8-x-y)/3O32-yNy透明陶瓷粉体,其中6≤x≤7.5,0.2≤y≤1.7、且x+y8、□为阳离子空位数,然后将透明陶瓷粉体进一步球磨得到细化的陶瓷粉体,所述的场致快速合成温度为1600~1750℃,反应时间为8~20min;
2)MgAlON透明陶瓷素坯的制备:将步骤1)的MgAlON透明陶瓷粉体通过轴向加压结合冷等静压成型,得到MgAlON透明陶瓷素坯;
3)MgAlON透明陶瓷预烧体的制备:将步骤2)的MgAlON透明陶瓷素坯进行无压预烧,得到气孔封闭,相对致密度在95%以上的陶瓷预烧体,无压预烧处理的预烧温度为1600℃~1875℃,保温时间为1~5h;
4)宽光学透过域MgAlON透明陶瓷的制备:将步骤3)中所得气孔封闭的MgAlON透明陶瓷预烧体进行热等静压烧结,获得宽光学透过域MgAlON透明陶瓷,热等静压烧结温度为1800~1880℃,压力为100~200MPa,保温时间为1~8h,
所述的MgAlON透明陶瓷为单相尖晶石型结构,结构式为MgxAl(64-2x+y)/3□(8-x-y)/3O32-yNy,其中6≤x≤7.5,0.2≤y≤1.7、且x+y8、□为阳离子空位数,2mm厚样品的光学透过范围为0.2~6.7μm,中红外透过范围介于c面蓝宝石和MgAl2O4透明陶瓷之间。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤1)中,将Al(8+a)/3O4-aNa,0.25≤a≤0.4、Mg1-bAl2(1+b/3)O4,0≤b≤0.2和MgO粉末放入混料瓶中,按球料比为4:1加入氧化铝球,料为混合粉料,加入无水乙醇,滚筒球磨24~30h配制料浆,然后将得到的料浆充分干燥,得到粉末混合物,将粉末混合物过100目筛后使用;
步骤(3)的无压预烧气氛为高纯氮气;
步骤(3)中的无压预烧处理的升温速率为1~10℃/min;
步骤(4)的热等静压处理气氛为高纯氩气。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述的Al(8+a)/3O4-aNa,0.25≤a≤0.4,由Al2O3、AlN按结构式Al(8+a)/3O4-aNa中的化学计量比取样,即摩尔比为(4-a)/3:a场致快速合成得到,合成温度为1800-1825℃;
所述的Mg1-bAl2(1+b/3)O4,0≤b≤0.2,由MgO、Al2O3按结构式Mg1-bAl2(1+b/3)O4中的化学计量比取样,即摩尔比为:(1-b):(1+b/3)场致快速合成得到,合成温度为1300-1500℃。
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