[发明专利]一种铌掺杂二氧化钛纳米材料的制备方法及其应用在审
申请号: | 202010331788.X | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111509063A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 陈加藏;程昌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院山西煤炭化学研究所 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0216;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人: | 王敏锋 |
地址: | 030001 *** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化 纳米 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种铌掺杂二氧化钛纳米材料的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:
按照一定比例将称量好的钛酸四丁酯、五水氯化铌加入到烧杯中混合搅拌均匀得到溶液A,然后向溶液A中加入冰醋酸并搅拌15-20min,得到溶液B;之后将溶液B转移到水热反应釜中于220℃水热反应12h,冷却到室温得到铌掺杂二氧化钛的胶质物质;最后对胶质物质离心、洗涤、干燥后即得所述铌掺杂二氧化钛纳米材料。
2.根据权利要求1所述的一种铌掺杂二氧化钛纳米材料的合成方法,其特征在于,所述钛酸四丁酯,五水氯化铌以及冰醋酸的比例为10mL:0.0529~0.2117g:3.4224mL。
3.根据权利要求1所述的一种铌掺杂二氧化钛纳米材料的合成方法,其特征在于,所述洗涤是采用无水乙醇洗涤,所述干燥是在80℃下干燥12h。
4.一种由权利要求1-3任一项所述方法合成得到的铌掺杂二氧化钛纳米材料。
5.一种权利要求4所述铌掺杂二氧化钛纳米材料在制备介观型钙钛矿太阳能电池介孔层中的应用,其特征在于,所述介孔层的制备方法如下:
称取所制备的铌掺杂二氧化钛纳米材料,研磨成粉末,加入松油醇和乙醇后,接着在加热搅拌下加入乙基纤维素并搅拌均匀,室温下进行球磨,得到白色胶体物质;然后,将所得白色胶体物质用乙醇稀释,得到介孔层前驱体溶液;取制备好的介孔层前驱体溶液,滴到事先制备好的致密层二氧化钛上,待其流动铺满后进行旋涂,于空气中焙烧得到铌掺杂二氧化钛纳米材料组成的介观型钙钛矿太阳能电池介孔层。
6.根据权利要求5所述铌掺杂二氧化钛纳米材料在制备介观型钙钛矿太阳能电池介孔层中的应用,其特征在于,所述致密层二氧化钛的制备方法如下:
由无水乙醇、盐酸、二(乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯混合制备得到致密层二氧化钛的前驱体溶液,采用热喷涂技术将致密层二氧化钛的前驱体溶液附着到FTO玻璃上,即得致密层二氧化钛。
7.根据权利要求5-6所述铌掺杂二氧化钛纳米材料在制备介观型钙钛矿太阳能电池介孔层中的应用,其特征在于,所述铌掺杂二氧化钛纳米材料、松油醇和乙基纤维素的质量比为1:2:4,所述加热搅拌前的乙醇加入量为每克铌掺杂二氧化钛纳米材料使用3ml,所述搅拌下加热温度为60℃,所述乙醇稀释的用量为每克白色胶体物质使用8.5ml,所述旋涂转速为5000rmp,旋涂时间为30s,旋涂加速度为3000rmp/s。
8.根据权利要求5-7所述铌掺杂二氧化钛纳米材料在制备介观型钙钛矿太阳能电池介孔层中的应用,其特征在于,所述焙烧温度为450℃-550℃,焙烧时间为10min-40min。
9.根据权利要求5所述铌掺杂二氧化钛纳米材料在制备介观型钙钛矿太阳能电池介孔层中的应用,其特征在于,所述铌掺杂二氧化钛纳米材料组成的介观型钙钛矿太阳能电池介孔层的厚度为150-200nm。
10.根据权利要求6-9任一项所述铌掺杂二氧化钛纳米材料在制备介观型钙钛矿太阳能电池介孔层中的应用,其特征在于,所述FTO玻璃每平方厘米使用30-45μL介孔层前驱体溶液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院山西煤炭化学研究所,未经中国科学院山西煤炭化学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010331788.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自循环型固结植生复合材料及其制备方法
- 下一篇:一种易于检修的双套管装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的