[发明专利]一种808nm激光外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种808nm激光外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：选择一GaAs衬底；

步骤2：在所述衬底上依次沉积缓冲层、下限制层和光栅层；

步骤3：在所述光栅层上制备光栅图形；

步骤4：在制备有光栅图形的所述光栅层上继续依次生长覆盖层、包层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层和接触层，完成制备。

2.根据权利要求1所述的808nm激光外延片的制备方法，其特征在于：所述缓冲层的材料为GaAs，掺杂浓度介于1×10¹⁸~3×10¹⁸cm^-3之间，生长速度介于0.4~0.6 nm/s之间。

3.根据权利要求1所述的808nm激光外延片的制备方法，其特征在于：所述光栅层由下至上分为第一光栅层、第二光栅层、第三光栅层共三层，所述第一光栅层、第三光栅层的材料均为GaInP，所述第二光栅层的材料为(In)GaAsP。

4.根据权利要求3所述的808nm激光外延片的制备方法，其特征在于：所述光栅层的光栅占空比范围介于20%~80%之间。

5.根据权利要求1所述的808nm激光外延片的制备方法，其特征在于：所述覆盖层的材料为GaInP或GaAs，厚度为50~100nm。

6.根据权利要求1所述的808nm激光外延片的制备方法，其特征在于：所述包层的材料为(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP，Al组分x介于0.1~0.6之间，y的范围介于0.4~0.6之间，厚度为50~500nm。

7.根据权利要求1所述的808nm激光外延片的制备方法，其特征在于：所述量子阱层的材料为GaAsP或InGaAsP，厚度为5~15nm。

8.根据权利要求1所述的808nm激光外延片的制备方法，其特征在于：所述下波导层和上波导层的材料为GaInP或AlGaInP，厚度为400~1200nm。

9.根据权利要求1所述的808nm激光外延片的制备方法，其特征在于：所述下限制层和上限制层的材料为(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP，Al组分x介于0.3~0.8之间，y的范围介于0.4~0.6之间。

10.一种根据权利要求1至9任一权利要求所述方法制备的808nm激光外延片，其特征在于：其由下至上依次包括衬底、缓冲层、下限制层、光栅层、覆盖层、包层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层和接触层。