[发明专利]布线结构在审
| 申请号： | 202010332177.7 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111863751A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/535;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布线 结构 | ||
1.一种布线结构，其包括：
上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；
下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层基本上不含玻璃纤维；和
中间层，其安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构。
2.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层包含绝缘膜。
3.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层的杨氏模量大于或等于约4.0GPa。
4.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构是覆树脂铜箔衬底。
5.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构更包含核心部分，所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层和所述至少一个下部电路层与所述核心部分的表面相邻，且所述核心部分基本上不含玻璃纤维。
6.根据权利要求5所述的布线结构，其中所述核心部分包含绝缘膜。
7.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述中间层包含绝缘膜。
8.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部导电结构的热膨胀系数小于所述中间层的热膨胀系数，且所述中间层的所述热膨胀系数小于所述下部导电结构的热膨胀系数。
9.根据权利要求8所述的布线结构，其中所述中间层的所述热膨胀系数大于或等于所述下部导电结构的所述热膨胀系数的约0.8倍。
10.根据权利要求1所述的布线结构，其更包括至少一个上部穿导孔，其延伸穿过所述上部导电结构和所述中间层的至少一部分，并且电连接到所述下部导电结构的所述下部电路层。
11.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述下部电路层的线距大于所述上部导电结构的所述上部电路层的线距。
12.一种布线结构，其包括：
上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；
下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层；和
中间层，其安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间并且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构，所述上部导电结构的热膨胀系数小于所述中间层的热膨胀系数，且所述中间层的所述热膨胀系数小于所述下部导电结构的热膨胀系数。
13.根据权利要求12所述的布线结构，其中所述中间层的所述热膨胀系数大于所述下部导电结构的所述热膨胀系数的约0.8倍。
14.根据权利要求12所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层包含绝缘膜。
15.根据权利要求12所述的布线结构，其中所述下部导电结构是覆树脂铜箔衬底。
16.根据权利要求12所述的布线结构，其中所述下部导电结构更包含核心部分，所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层和所述至少一个下部电路层与所述核心部分的表面相邻，且所述核心部分包含绝缘膜。
17.根据权利要求12所述的布线结构，其中所述中间层包含绝缘膜。
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